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• 运放参数的详细解释

  在精密电路设计中，偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数，诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等，也必须测定。精确的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于6nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃ 。...

  2292次阅读 · 0评论 放大器电路设计运放晶体管

• 如何实现高频滤波 穿心电容滤波原理

  由于普通的电容不是理想电容，不能有效地滤除高频噪声，这是由于：①电容引线电感造成电容谐振，对高频信号呈现较大的阻抗，削弱了对高频信号的旁路作用；②导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合，降低了滤波效果。...

  4927次阅读 · 0评论 电容电磁干扰寄生电感
  

• 0欧姆电阻在电路设计中的作用

  0Ω电阻到底能过多大电流？这个问题想必每位硬件工程师都查过。而与之相关的还有一个问题，那就是0Ω电阻的阻值到底有多大？...

  1313次阅读 · 0评论 电阻pcb电流电路设计额定电流
  

• 功率器件igbt工艺流程图解

  功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。...

  5185次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT功率器件Bipolar半导体开关
  

• 晶体二极管的结构和主要参数

  二极管种类繁多，它们根据不同工艺结构和用途是有大小之分的...

  2709次阅读 · 0评论 二极管晶体二极管PN结
  

• 运放的失调电压分析

  今天我们来分析下为什么在轻负载条件下，恒流精度有变化。上篇文章也提到过失调电压，失调电压是造成这个误差的主要因素。首先，回顾下该电路，为方便计算，调整下反馈电阻参数，将比例改为1倍，可得负载电流 I=Vin/R5。（具体公式推导工程请看1月16的微头条文章），在这里为排除由正反馈和负反馈两个环路反馈...

  2174次阅读 · 0评论 电路分析运放电流源失调电压
  

• mosfet主要参数有哪些（mosfet参数详解）

  MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。...

  2993次阅读 · 0评论 二极管MOSFETMOS额定电压散热板
  

• 安规贴片Y电容有什么优势？

  传统的安规Y电容是插件形式的，体积较大，安装很占用空间，同时还需要人工插件，安装效率极低，为了解决这个难题，科雅推出了JK-ET系列贴片Y电容，什么是安规贴片Y电容？有什么优点？...

  840次阅读 · 0评论 电容电路板氮化镓射频干扰Y电容PD快充

• 数明半导体推出SiLM94112/SiLM94108半桥驱动芯片

  针对有刷直流电机和步进电机在各种应用场景中的不同需求，SiLM94112/SiLM94108可支持独立、顺序或并行模式驱动。为实现电机的正转、反转、滑行和制动控制，用户可通过SiLM94112/SiLM94108的SPI通讯自主控制半桥上管和下管的开通和关断。...

  2073次阅读 · 0评论 步进电机无刷直流电机驱动芯片半桥驱动芯片数明半导体
  

• 碳化硅功率半导体工艺流程

  首先，以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长SiC，通过物理气相传输（PVT）制备单晶 第二，使用多线切割设备切割SiC，晶体切成薄片，厚度不超过1毫米 第三，通过不同粒度的金刚石研磨液，将晶圆研磨至所需要的平整度和粗糙度。...

  2054次阅读 · 0评论 功率半导体光刻胶碳化硅刻蚀工艺

• TVS的工作原理和选型要点

  TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。TVS 有单向与双向之分，单向 TVS 一般应用于直流供电电路，双向 TVS 应用于电压交变的电路。如图 1 所示，应用于直流...

  7317次阅读 · 0评论 二极管TVSPN结bms
  

• 功率MOSFET功耗计算指南

  功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。...

  2172次阅读 · 0评论 MOSFETcpu功率MOSFET电流电源功耗计算
  

• 深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析

  实现深紫外光通信的一个关键器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高压汞灯实现，但汞灯的调制带宽非常小，这严重影响了深紫光通信的传输速率。...

  1859次阅读 · 0评论 串联电阻发光二极管LED芯片衰减器无线光通信
  

• SiC相较于Si的优势是什么？碳化硅的实际应用优势

  如今，大多数半导体都是以硅（Si）为基材料，但近年来，一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅，也称为SiC。目前，SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。...

  2472次阅读 · 0评论 二极管太阳能半导体SiC碳化硅
  

• 一文理解IGBT的发展历程

  在当代高科技领域中，绝缘栅双极性晶体管（IGBT）无疑是一颗耀眼的明星，其在电力控制、能源转换和工业应用等领域的不可替代地位，让人们对其发展历史产生浓厚的兴趣。IGBT的强大功效和多重应用领域，使得它在半导体领域崭露头角，成为现代技术发展不可或缺的重要组成部分。为了更好地理解IGBT的发展历程，让我...

  2579次阅读 · 1评论 MOSFETIGBT晶体管BJT

• 分享一颗双路高速MSOFET驱动芯片-TPS2812设计知识

  今天和大家分享一颗双路高速MSOFET驱动芯片-TPS2812的一些设计知识。这颗芯片是TI公司的一款驱动芯片，工业级。...

  2669次阅读 · 0评论 MOSFET电源供电调节器驱动芯片GND
  

• 双路高速MOSFET驱动芯片TPS2812的基本介绍

  今天和大家分享一颗双路高速MSOFET驱动芯片-TPS2812的一些设计知识。这颗芯片是TI公司的一款驱动芯片，工业级。这颗芯片内部集成了一颗LDO,最高可以支持到40V的电压，-40到125度的工作温度。...

  6478次阅读 · 0评论 MOSFETldo驱动芯片
  

• 什么会影响MOS管驱动电压降低呢？

  MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电压降低可能会受到以下因素的影响...

  2808次阅读 · 0评论 电容器MOS管电源电压场效应晶体管驱动电压

• 氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么

  氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料 ➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料...

  1632次阅读 · 0评论 半导体材料氮化镓GaN射频器宽禁带半导体
  

• ADC和DAC的技术参数

  根据采样定理，超过奈奎斯特频率的输入信号频率为“混叠”频率。也就是说，这些频率被“折叠”或复制到奈奎斯特频率附近的其它频谱位置。为防止混叠，必须对所有有害信号进行足够的衰减，使得ADC不对其进行数字化。欠采样时，混叠可作为一种有利条件。...

  6462次阅读 · 0评论 噪声adcdac信号时钟信号
  
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