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敏感的模拟元件，例如放大器和基准电压源，必须参考和去耦至模拟接地层。具有低数字电流的 ADC 和 DAC（和其他混合信号 IC）一般应视为模拟元件，同样接地并去耦至模拟接地层。乍看之下，这一要求似乎有些矛盾，因为转换器具有模拟和数字接口，且通常有指定为模拟接地 (AGND) 和数字接地 (DGND)...
近年来，我国年工业生产总值不断提高，但能耗比却居高不下，高能耗比已成为制约我国经济发展的瓶颈...
由于模拟系统在现代电子设备中起着至关重要作用，模拟系统测试优化已引起学术界和工业界广泛关注。尽管现有方法能实现测试策略的自动生成，但是由于复杂结构和多变的运行环境的影响，模拟系统难以有效生成诊断策略。...
摘要 ：二极管是非常常用的基础元器件，本文主要聊一聊其在电路设计中的应用，大概总结了二极管的如下作用防反、整流、稳压、续流、检波、倍压、钳位、包络线检测。...
普通二极管是P型半导体与N型半导体结合构成，而PIN则在P型半导体与N型半导体之间夹了一层I型半导体(即本征半导体)...
根据掺杂不同可以分为NPN管和PNP管，有E（发射极）、B（基极）、C（集电极）三个极，两个PN结（发射结和集电结）。...
功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比，明显尺寸更大，这也是功率半导体器件的有点之一。...
随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领域有着迫切的需求。随着航天技术的快速发展，作为航天器的重要组成部分——供配电系统和二次电源的发展面临两方面的挑战，一方面是小型化和轻量化，另一方面是...
IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT。...
在现今IGBT表面结构中，平面型和沟槽型可谓是各占半壁江山。很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的...
二极管正向导通时，电子存储在P区，空穴存储在N区，此现象叫做电荷存储效应。外加反向电压时，电子和空穴分别往相反方向移动，形成反向漂移电流，同时与其他多数载流子复合，待电子和空穴明显减小后，反向恢复过程完成，二极管截至。...
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司Advanced Powe...
并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。...
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。...
晶闸管（Silicon Controlled Rectifier）简称SCR,由于电流容量大，耐电压高，以及开通可控性。...
AD202和AD204是通用型双端口、跨前耦合隔离放大器可用于输入信号必须测量、处理和/或在没有电偶连接的情况下传输的应用范围--这些工业标准隔离放大器提供完整的隔离功能，信号和功率隔离都是在一个紧凑的塑料SIP或DIP式封装中提供的。...
Photo-Diode 光电二极管，内部结构是由一个PN结组成的半导体器件。它和常用二极管一样，有单向导通的特性。色彩测量、发射光谱仪、气体探测器、浑浊度计等应用通常都是采用光电二极管来实现精密光学测量。...
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