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放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。...
IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件,常用于高压、高电流的交流/直流变换器、逆变器和直流/直流变换器中。...
RC低通滤波电路是一种简单的低通滤波电路,由一个电阻和一个电容组成。它的原理是利用电容器的充放电特性,将高频信号通过电容器的电容分布电阻滤除,只保留低频信号。...
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法...
CS1795x的优异性能和多特性,配合8/4通道,使其十分适合BMS安全检测类应用。同时,CS1795x的微功耗和抗强ESD能力,能够对于工业自动化和医疗设备等应用提供有力支持,有效帮助系统实现可靠的多路诊断和数据采集的需求。...
将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管,简称二极管。由P区引出的电极为阳极,由N区引出的电极为阴极。...
固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。...
ADC的不精确性 无论何种信号链,转换器都是系统的基本要素。为设计选择的任何ADC都会决定系统的总精度。换言之,系统精度不可能高于转换器的最低有效位(LSB)大小。为了表明这一点,让我们来看一个简短的ADC不精确性指南。...
和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。...
双三极管多谐振荡器是一款应用较广的常见电路形式,但对其原理描述却不多见,应网友之邀现以一款驱动LED的双三极管多谐振荡器为例解答职校同学的相关提问。...
当IC稳定工作后,复位电容E1已充满电荷,其两端电压=VCC。当电源掉电时,因复位电容仅通过复位电阻R1放电,其电压下降较慢,若当RESET端电压较高时VCC恢复而再次上电,则可能导致复位不良。...
汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别,MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。...
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互补金属氧化物半导体(Complementary Metal–Oxide–Semiconductor,CMOS)技术的核心元件,是工业革命以来最重要的发明...
驱动电路对动态均流的影响:驱动电路对并联均流的影响也是显而易见的,如果并联工作的IGBT驱动电路不同步,则先驱动的IGBT要承担大得多的动态电流。...
微波振荡器用于上至移动电话及GPS导航系统,下至无线电和测试设备的各种领域。振荡器的目的在于通过各种方式生成具有特定频率的连续谐波输出。...
当PN正向偏置时,电流随电压的增大而迅速增大。当反向偏置时,电流很小且随电压增大变化不大,但是当电压达到临界点时电流突然增大。这两种现象称为正向导通与反向导击穿。...
当n型半导体与p型半导体接触时,电子与空穴都从浓度高处向浓度低处扩散,称为扩散运动。当电子进入p型区域,空穴进入n型区域后,即与对方多子复合,留下了固定不动的原子核。这些原子核形成了一个内建电场,使电子与空穴向反方向漂移。这两种运动达到平衡时的结果就是形成一段没有载流子的区域,称为空间电荷区,也叫耗...
当前的新能源车的模块系统由很多部分组成,如电池、VCU、BSM、电机等,但是这些都是发展比较成熟的产品,国内外的模块厂商已经开发了很多,但是有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分,则是电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘...