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• 浅谈第三代半导体的氮化镓性能优势

  新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN 多种异质结构。...

  1312次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT氮化镓GaN第三代半导体
  

• 运算放大器负压产生电路设计分析

  大概就是利用了电容两端电压不能突变的原理，MT3608是一个升压芯片，VBUS是USB处取的5V，然后通过MT3608升压到15V，并且额外通过二极管和电容，产生一个负压，然后过79L12（负压LDO芯片，注意不是78L12），稳压到-12V给运算放大器使用。...

  1776次阅读 · 0评论 二极管示波器运算放大器信号发生器
  

• 详解IGBT内部结构/特性/工作原理

  IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。 IGBT 主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。 你可以看到输入侧代表具有栅极端子的 MOS管，输出侧代表具有集电极和发射极的 BJT。...

  4882次阅读 · 0评论 MOS管IGBT晶体管PMOS开关器件
  

• 关于TVS漏电流的问题分析

  　对于一些面板上的拨码开关等电路，为了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏电流过大，以致上拉电阻上的压降过大，从而造成高电平过低，不能达到CMOS的高电平阈值。...

  2924次阅读 · 0评论 CMOSTVSTVS管漏电流
  

• 电阻选型的关键参数分析 5点搞透电阻选型

  欧姆(Georg Simon 0hm，1787~1854年)是德国物理学家。生于巴伐利亚埃尔兰根城。欧姆定律及其公式的发现，给电学的计算，带来了很大的方便。 人们为了纪念他，将电阻的单位定为欧姆，简称“欧” 。...

  1908次阅读 · 0评论 led电阻电阻器额定电压光敏电阻
  

• 南芯POWERQUARK®系列AC/DC转换器解决方案

  功率密度的大幅提升离不开第三代半导体的助力，氮化镓是第三代半导体材料的典型代表，它可在更高的频率下运行，且具有更快的开关速度和更低的功耗。2018年前后，随着氮化镓器件成本的下降和可靠性的提高，氮化镓器件具有的高频开关性能和低导通阻抗成为下一代电源适配器的关键技术。...

  746次阅读 · 0评论 MOS功率器件氮化镓AC-DC驱动电压
  

• 科达嘉工业级一体成型电感与车规级一体成型电感的区别

  下面以一体成型电感CSAB系列（工业品）、车规级一体成型电感VSHB系列（车规品）为例做对比，让大家对科达嘉车规品和工业品有更加直观的了解。...

  1004次阅读 · 0评论 汽车电子电感磁性元件电流电感
  

• 一文解析氮化嫁技术及产业链

  氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。...

  1165次阅读 · 0评论 新能源汽车射频功率器件氮化镓Micro LED
  

• 电机设计应用中电感的原理详解

  电感是自感和互感的总称，只存在单个线圈时，电感就是指自感。必须至少存在两个线圈才能讨论互感和漏感。 当线圈中通入电流时，会产生磁场，这种反映线圈产生磁场能力强弱的物理量称为自感系数，简称自感。...

  4057次阅读 · 0评论 磁场电感器电机电感PMSM

• ZPDN-Z1208C-S005光电二极管阵列概述

  光电二极管阵列 型号:ZPDN-Z1208C-S005 ZPDN-Z1208C-S005 是一个由6个高灵敏度硅光电二极管安装在PCB上组成 的阵列,该装置与红外发射二极管相匹配。...

  974次阅读 · 0评论 二极管pcb编码器服务器光电二极管
  

• 同步电路和异步电路的区别是什么？基本放大电路的种类及优缺点

  　　同步电路：存储电路中所有触发器的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源，因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。...

  1528次阅读 · 0评论 fpgaasic放大电路触发器异步电路

• 电阻详细基础知识大全

  电阻的种类有很多，从材料上划分，线绕型、非线绕型，非线绕型又分为合成型、薄膜型；从用途上划分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高压型、高频型；还有一类特殊用途划分，热敏电阻、光敏电阻、力敏电阻、湿敏电阻、压敏电阻、气敏电阻、熔断电阻等。...

  6215次阅读 · 0评论 电阻元器件电阻器热敏电阻光敏电阻
  

• IGBT双脉冲测试的意义和原理

  对比不同IGBT的参数及性能； 获取IGBT开通和关断过程的参数； 评估驱动电阻是否合适； 开通和关断过程是否有不合适的震荡；...

  8293次阅读 · 0评论 二极管电流IGBT驱动电阻
  

• 常用功率半导体器件知识汇总总结

  晶闸管（SCR）自问世以来，其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。...

  1333次阅读 · 0评论 晶闸管MOS功率器件射频芯片半导体器件
  

• 车规级SiC MOSFET制造技术进展

  随着新能源汽车、光伏、充电桩等应用对系统效率的不断追求，SiC 功率半导体市场将迎来前所未有的增速。...

  970次阅读 · 0评论 新能源汽车SiC功率半导体充电桩功率芯片
  

• 基于MMBT3904L三极管的共射极放大电路

  三极管还是使用前面分析过的MMBT3904L，直流电源给15V，输入信号VG1为Vpp=2V，f=100MHz的正弦波，基极给100k/22k分压得到2.7V偏置电压，集电极给10k上拉电阻，发射极给2k下拉电阻。...

  2278次阅读 · 0评论 三极管直流电源偏置电阻耦合电容
  

• 电路反馈对电路分析的作用在哪些？

  在实际电路怎么判定之前，先把结论拿出来： 无论是输入端还是输出端，串联拓扑提高相应端口的阻抗，并联拓扑降低相应端口的阻抗；...

  1082次阅读 · 0评论 放大器电流反馈反馈网络电路反馈
  

• 浅析常见共射极放大电路的输出阻抗

  一般情况下，放大电路的输出阻抗如无特别说明。都是指交流信号而言的。其次，我们可将三极管看成一个受基极电流控制的电流源，故上图可等效为下图...

  2072次阅读 · 0评论 三极管放大电路输出阻抗共射极放大电路
  

• 深入理解信号完整性理论方面的基础知识

  100 MHz 时钟产生后，从信号驱动器芯片输出的两种波形：没有外加引出连线（平滑曲线）的情况和输出端连接一段2 in长的PCB线条（振铃曲线）的情况。...

  2671次阅读 · 0评论 pcb信号完整性数字信号矢量网络分析仪信号失真
  

• 功率MOSFET内部结构和工作原理

  MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。...

  1740次阅读 · 0评论 芯片MOSFET导通电阻MOS栅极电压
  
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