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由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔,这会导致更高的金属线电阻和线间电容。...
光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺,也可以用在后道工艺,前道光刻机用于芯片的制造,曝光工艺极其复杂,后道光刻机主要用于封装测试,实现高性能的先进封装,技术难度相对较小。...
超过50%的PCB元器件焊点缺陷可追溯到不正确或次优的焊膏印刷。虽然良好的锡膏印刷习惯通常在小批量时就已足够,但对于大批量印刷,应仔细考虑锡膏检查(SPI)。...
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(5mils~10mils); 磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;...
极紫外光刻的制约因素 耗电量高极紫外线波长更短,但易被吸收,可利用率极低,需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机,250W的功率,每天耗电达到三万度。 生产效率仍不够高同样以3400B来说,该EUV光刻机的生产效率是每小时125片晶圆,还不到DUV光刻机生产效率的一半...
光刻机需要采用全反射光学元件,掩模需要采用反射式结构。 这些需求带来的是EUV光刻和掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模的制造面临着许多挑战,包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。...
IGBT相比MOSFET,可在更高电压下持续工作,同时需要兼顾高功率密度、低损耗、高可靠性、散热好、低成本等因素。一颗高性能、高可靠性与低成本的IGBT芯片,不仅仅需要在设计端不断优化器件结构,对晶圆制造和封装也提高了更高的要求。...
旋转圆盘与旋转轮类似,不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘,而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。...
利用Simcenter Flotherm Package Creator芯片封装工具可以帮助你在几分钟内创建出一个常用的IC封装详细模型...
在焊缝或近缝区,由于焊接的影响,材料的原子结合遭到破坏,形成新的界面而产生的缝隙称为焊接裂缝,它具有缺口尖锐和长宽比大的特征。按产生时的温度和时间的不同,裂纹可分为:热裂纹、冷裂纹、应力腐蚀裂纹和层状撕裂。...
晶圆键合是半导体行业的“嫁接”技术,通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的晶片紧密地结合起来,进而提升器件性能和功能,降低系统功耗、尺寸与制造成本。...
由于接触电阻增加和IR下降,导致能量损失、性能降低和高温,向更薄的节点供电已经成为一种挑战。背面PDN(PowerVia)将电源线从数据I/O线路移开,简化了连接性并使PDN更加成熟。...
随着光刻技术的进步,光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm (分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线),所制造的集成电路特征尺寸为600nm或更大。...
电子封装技术与器件的硬件结构有关。这些硬件结构包括有源元件1(如半导体)和无源元件2(如电阻器和电容器3)。因此,电子封装技术涵盖的范围较广,可分为0级封装到3级封装等四个不同等级。...
直接镀铜陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺。以氮化铝/氧化铝陶瓷作为线路的基板,采用溅镀工艺于基板表面复合金属层,并以电镀和光刻工艺形成电路。...
车规级半导体也称“汽车芯片”,用于车体控制装置,车载监控装置及车载电子控制装置等领域,主要分布在车体控制模块上、车载信息娱乐系统等方面,包括动力传动综合控制系统,主动安全系统和高级辅助驾驶系统等,半导体比传统燃油车更多用于新能源汽车,增加电动机控制系统和电池管理系统的应用场景。...