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标签 > 砷化镓
砷化镓(gallium arsenide)是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,禁带宽度1.4电子伏。
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Analog Devices Inc. ADL8107低噪声放大器数据手册
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ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,5 GHz至20 GHz技术手册
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ADL8106 GaAs pHEMT低噪声放大器,20 GHz 至 54 GHz技术手册
ADL8106 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器,工作频率为 20 ...
AS169-73 PHEMT砷化镓集成电路单刀双掷开关规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-08-03 标签:砷化镓PHEMT单刀双掷开关 421 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-25 标签:功率放大器砷化镓 509 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-25 标签:放大器砷化镓 280 0
类别:IC datasheet pdf 2022-04-12 标签:砷化镓单刀双掷开关 785 0
类别:IC datasheet pdf 2021-04-12 标签:集成电路晶体管砷化镓 693 0
上海光机所在强场太赫兹对砷化镓偶次谐波调控研究方面取得新进展
图1. 强场太赫兹波的产生及物质调控信号测量装置 (a)实验光路;(b)泵浦光光谱;(c)太赫兹频谱。 近期,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物...
5月9日,河南渑池县举行了化合物半导体碳化硅材料与固废综合利用砷化镓衬底项目的签约仪式。在仪式上,化合物半导体材料团队执行总监李有群对该项目做了详细介绍。
该科研成果已于北京时间2024年3月28日以“证据表明分数量子霍尔液体中有手性黑格斯模”为题在国际顶尖学术期刊Nature上公开发表。全球的引力子研究一...
首期项目斥资15亿人民币,致力开发4/6英寸砷化镓生产线。预计在2025年7月开始试运行,此阶段主要专注于砷化镓半导体表面发射型镭射VCSEL产品的生产...
上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒, 非常适用于运输以及储存砷化镓芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波领域的应用非常广泛,器件分类齐全,包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。
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