Sumitomo射频应用氮化镓 (GaN) 器件该怎么选？
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。
- 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
- 功率氮化镓-通用 GaN HEMT
- 功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET
功率砷化镓-功率放大器 MMIC
- 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
- 高输出功率
- 高增益
- 高效率
- 内部匹配
相关型号
- SGK 5867-30A
- SGK 5867-60A
- SGK 5867-100A/ 001
- SGK 5872-20A
- SGK 6472-30A
- SGK 6472-60A
- SGK 7185-20A
- SGK 7785-30A
- SGK 7785-60A
- SGK 7785-100A
- SGK 1011-25A
- SGK 1314-30A
- SGK 1314-60A
- SGC 7178-100A
- SGC 7172-30A
- SGC 7172-120A
用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
- 高达 520W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 宽带
相关型号
- SGC 5259-50B-R
- SGC 5259-300B-R
- SGC 5259-400B-R
- SGC 8598-50B-R
- SGC 8598-100B-R
- SGC 8598-200B-R
- SGC 8595-300B-R
- SGC 0910-200B-R
- SGC 0910-300B-R
- SGC 1011-300B-R
- SGC 1112-100B-R
- SGM6901VU
用于海洋雷达的 GaN HEMT
- 高达 340W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 海洋雷达
- 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆
相关型号
- SGC 9395-50B-R
- SGC 9395-100B-R
- SGC 9395-130B-R
- SGC 9395-200B-R
- SGC 9395-300B-R
- SGM6906VU
- SGM6901VU/ 001
功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
- 高达 570W（典型值）的高功率
- 高增益
- 高效率
- 宽带
- 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆
相关型号
- SGN 2731-130H-R
- SGN 2731-500H-R
- SGN 3035-150H-R
- SGN 3133-260H-R
- SGN 3135-500H-R
功率氮化镓-通用 GaN HEMT
- 高达 150W（典型值）的高功率
- 高效率
- 可连续波操作
- 并发宽带操作
- 小型无凸缘封装
相关型号
- SGCA030M1H
- SGCA100M1H
- SGNH130M1H
功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET
- FLM/ELM 系列是内部匹配的功率 GaAs FET，专为无线电链路应用而开发，这些应用需要在 4.4GHz 至 14.5GHz 频段的 50 Ω 系统中实现高功率、高增益和低失真。
- 输入/输出内部匹配Zin/Zout = 50ohm
- 密封金属壁封装
- 高增益
- 高输出功率（高达 45W）
- 低失真
- 覆盖宽带
相关型号
- FLM 4450-4F
- FLM 4450-8F
- FLM 4450-12F
- FLM 4450-18F
- FLM 4450-25F
- FLM 4450-45F
- FLM 5964-4F
- FLM 5964-8F
- FLM 5964-12F
- ELM 5964-16F
- FLM 5964-18F
- FLM 5964-25F
- FLM 5964-35F
- FLM 5964-45F
- FLM 6472-4F
- FLM 6472-8F
- FLM 6472-12FF
- ELM 6472-16F
- FLM 6472-18F
- FLM 6472-25F
- FLM 7785-4F
- FLM 7785-BF
- FLM 7795-12F
- ELM 7785-16F
- FLM 7795-19F
- ELM 7785-35F
- FLM 7785-45F
- FLM 0910-4F
- FLM 0910-QF
- FLM 0910-12F
- FLM 0910-15F
- FLM 0910-25F
- FLM 1011-4F
- FLM 1011-6F
- FLM 1011-8F
- FLM 1011-12F
- FLM 1011-15F
- FLM 1314-3F
- FLM 1314-6F
- FLM 1314-BF
- ELM 1314-9F
- FLM 1314-12F
- FLM 1314-18F
- ELM 114-3CF/ 001
功率砷化镓-功率放大器 MMIC
- 在合适的高频封装中的 GaAs 功率放大器 MMIC，在 C 频段到 Ka 频段的频率范围内输出功率为 50mW - 2W。提供各种类型的封装，包括高可靠性密封型、低成本表面贴装型。
- MMIC 可以进行封装以满足客户的成本/性能要求。
- 输入和输出内部匹配 Zin/Zout =50ohm
- 高输出功率（高达2W）
- 高增益
- 低失真
- 小型密封封装（V1B/V1D/VU）
相关型号
- EMM5074VU
- EMM5068VUJ
- EMM5075VU
- SMM5085V1B
- EMM5836V1B
- EMM5832VU
- SMM5845V1B
- SMM5854V1D
- SMM5855V1D
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
氮化镓
+关注
关注
66文章
1859浏览量
119259 -
GaN
+关注
关注
21文章
2339浏览量
79326 -
砷化镓
+关注
关注
4文章
178浏览量
20178
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器
CHA8107-QCB两级氮化镓（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款两级氮化
发表于 12-12 09:40
氮化镓GaN快充芯片U8732的特点
充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！
CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化镓（
发表于 03-31 14:26
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
京东方华灿光电氮化镓器件的最新进展
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效
氮化镓（GaN）充电头安规问题及解决方案
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
氮化硼散热材料大幅度提升氮化镓快充效能
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
氮化镓充电器和普通充电器有啥区别？
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化
发表于 01-15 16:41
工商网监
评论