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MOS结电容（上）MOS里的寄生电容到底是什么？

EE工程师都会面临MOSFET的选型问题，无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET，他们的Datasheet中，一...

2023-12-05 标签：MOSFET MOS管 PN结 2.8万 0

NMOS管的特性曲线（一）— 输出特性曲线详解

输出特性曲线：固定VGS值，且数值大于阈值电压时，MOS晶体管的源漏电流IDS随VDS的变化曲线。

2023-12-01 标签：MOS晶体管 VDS 电流电压 2.3万 0

ADS导入导出数据的方法介绍

直接导出是不行的，图形可以直接copy出去复制，但数据要采用Palette里的List，不是Rectangular Plot，生成后可以选中然后右键，就...

2023-12-01 标签：dac IDS VDS 1.9万 0

一文详解MOS管的基本知识

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 标签：MOS管可变电阻 VDS 1.7万 0

主要介绍MOSFET电性能相关的参数

BVDSS 是反向偏压的体二极管被击穿，且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动的电压。

2023-05-29 标签：MOSFET 电压源 VDS 1.7万 1

mosfet里vgs和vds的关系

在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。一、基...

2024-09-29 标签：MOSFET 源极场效应晶体管 1.6万 0

为什么要用gmId设计方法呢？什么是gmid设计方法呢？

假设知道了Id,Vgs-vth，但发现，厂家给的工艺文件里，并没有直接给出un和Cox的值，还是没有办法计算出管子的W和L值。

2022-09-05 标签：MOS管 PSPICE VDS 1.6万 0

介绍MOSFET绝对最大额定值相关的参数

VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压，在管子工作时，这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时，VDS电压都要降额80%选用。

2023-05-29 标签：MOSFET 示波器 IGBT 1.2万 0

沟道反型层阈值电压Vth介绍

如图，电流分扩散电流和漂移电流，工作时的mosfet电流很大，主要是漂移电流，因此忽略掉扩散电流的成分。

2023-05-30 标签：电容器 MOSFET 场效应管 1.2万 0

Rdson和Vgs、Vds有怎样的关系？

在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区？”这个问题，并得出Rdson对应的是可变电阻区的结论。在讨论的过程中，提到了Vgs对MOS管...

2023-01-05 标签：MOS管可变电阻 VDS 1.1万 0

pmos饱和条件vgs与vds关系

PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。它具有许多优点，如低功耗、高输入阻抗、易于集成等。本文我们将讨论PM...

2024-07-31 标签：PMOS VDS 电子电路 9.9k 0

MOSFET的绝对最大额定值相关参数

本篇是读懂MOSFET datasheet系列第三篇，主要介绍绝对最大额定值相关的参数。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...

2023-04-26 标签：负载 MOSFET 电压 8.7k 0

SiC MOSFET学习笔记2：短路保护—软关断

想象一个场景：一辆高端新能源车行驶在高速公路上，作为把电池中的直流电转化为交流电送到电机的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你关...

2023-05-30 标签：MOSFET 比较器 SiC 8.3k 1

半桥LLC电路中上管VDS的尖峰

我们发现，在模块从空载到短路跳变，短路关机后到短路态的过程中，短路态到空载的过程中上管还是存在电压尖峰，如图32所示，而且这个尖峰无论是120nS还是1...

2023-03-24 标签：功率管 VDS 尖峰 6.1k 0

SiC MOSFET学习笔记1：短路保护时间

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT）

2023-05-30 标签：二极管 MOSFET 晶闸管 5.3k 0

如何用EKV模型秒掉拉扎维？

我们给大家介绍了EKV模型的基本概念以及在大信号和小信号分析中的应用。尤其在大信号分析中，EKV图形化的方法简单直观，有着得天独厚的优势。

2023-07-07 标签：MOS管 VDS 偏置电压 4.9k 0

MOS管驱动电路gs两端并接一个电阻有何作用？

如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致...

2024-02-27 标签：MOS管驱动电路 VDS 4.6k 0

高压功率MOSFET寄生电容的形成

功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1...

2021-05-02 标签：MOSFET 电容电压 4.3k 0

PFC MOS管Vds检测详解

通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电...

2023-03-21 标签：二极管 MOS管 PFC 4.2k 0

浅谈MOS管的二阶效应

由阈值电压的公式可看出，阈值电压与制造工艺和所加体偏电压VSB有关，所以在设计中把它当成一个常数。当器件尺寸不断缩小时，此模型不再精确，阈值电压与L、...

2023-02-13 标签：MOSFET MOS管 NMOS 3.8k 0

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