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共源极放大器的设计方法

计算场效应管的直流转移特性曲线，并将特性曲线描绘在方格纸上，在曲线上确定出 MOS 管的饱和区，确定输入电压、输出电压的范围。

2023-07-06 标签：场效应管 VDS 直流偏置电源 3.3k 0

MOS管的相关参数

MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

2023-09-27 标签：MOS管参数栅极 3.3k 0

开关电源调试时常见的十种问题及解决办法

在高压或低压输入下开机(包含轻载，重载，容性负载)，输出短路，动态负载，高温等情况下，通过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长

2023-05-25 标签：变压器开关电源 VDS 3.3k 0

总电压采样电路中使用MOS作为开关的问题

使用高压MOS作为开关，例如下图（来自于ADI官网）LTC2949的典型应用电路中，使用高压MOS作为绝缘检测的桥臂开关；选用高压MOS的原因是成本相对...

2023-07-06 标签：三极管 MOS管 VDS 3.1k 0

SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

首先，计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而...

2024-05-29 标签：MOSFET 导通电阻 SiC 2.6k 0

MOS学习笔记-模型及工作原理

最近在公司做电动车控制器坏机解析的工作中碰到了一些MOS损坏的机子。在以前的工作中虽然对MOS有一些应用，但是其中的工作原理还没有仔细的学习过，希望能通...

2023-10-16 标签：放大电路 MOS管 NMOS 2.6k 0

采用副边同步整流解决方案降低开关电源过热（二）

本文是探索如何为超小型快充适配器设计副边同步整流器的系列文章的第二部分。第一部分讨论了同步整流器的拓扑设计和电源。第二部分将回顾同步整流器如何打开和...

2023-08-02 标签：开关电源 MOS管 VDS 2.5k 0

MOS管基础知识：轻松理解MOS管工作原理

MOS管基础知识：轻松理解MOS管工作原理。MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体...

2023-06-13 标签：MOS管 VDS 1.9k 0

Linux内核特性之VDSO

往往内核添加了一个功能，glibc要花很久才会用上。本来linux那边为这个功能是否进入内核已经吵半天了，glibc这边又要为是否使用这个内核新特性再次...

2019-04-26 标签：Linux VDS 1.9k 0

桥式电路的开关产生的电流和电压

本文将介绍在SiC MOSFET这一系列开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。

2022-12-05 标签：MOSFET SiC VDS 1.5k 0

超结MOSFET开关特性2-理想二极管模型

寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间

2023-07-13 标签：MOS管电源电压寄生电容 1.5k 0

功率MOSFET选型的几点经验分享

和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

2023-10-25 标签：三极管 MOSFET VDS 1.2k 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOS...

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 1.1k 0

超结MOSFET的开关特性

寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。

2023-07-13 标签：MOS管电源电压 VDS 1.1k 0

最大限度地减少SIC FETs EMI和转换损失

2023-09-27 标签：emi SiC VDS 976 0

‌LM74701-Q1EVM评估模块深度解析与设计指南

Texas Instruments LM74701Q1EVM控制器评估模块 (EVM) 有助于设计人员评估带集成VDS钳位的LM74701-Q1理想二极...

2025-09-26 标签：控制器 VDS 评估模块 460 0

‌DRV8302三相栅极驱动IC技术文档总结

DRV8302是一款用于三相电机驱动应用的栅极驱动器IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个 N 沟道 MOSFET。该器件支持高达 1.7A...

2025-10-20 标签：MOSFET 电源供电 VDS 424 0

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