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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用创新X.PAK封装技术

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的...

2025-03-20 标签：MOSFET SiC Nexperia 913 0

利用腾讯ima收藏公众号推文构建个人知识库，拒绝AI幻觉

专业领域，使用AI的局限在哪里？2023年ChatGPT横空出世之际，赵工曾就SiCMOSFET的短路问题和ChatGPT掰头过，围观人达6000多，当...

2025-03-19 标签：AI SiC ChatGPT 1.2万 0

瑞能半导体荣获思格新能源“联合创新奖”

日前，全球领先的国际化功率器件品牌瑞能半导体，在思格2025全球供应商大会上荣获联合创新奖。瑞能半导体总裁沈鑫受邀出席活动，并登台领奖。

2025-03-20 标签：功率器件 SiC 瑞能半导体 855 0

碳化硅器件选型需要考虑哪些因素

随着全球对能源效率和可持续发展的重视，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在现代电力电子领域获得了广泛关注。SiC器件的高效能、高温耐受性和高频性能，使其...

2025-03-19 标签：SiC 能源碳化硅 1k 0

会展动态 | SiC“隐形心脏”引爆技术革命！TMC2025功率半导体论坛：以点带面构建全产业链协同创新

当新能源汽车的续航焦虑撞上材料科学的颠覆性突破，一场由碳化硅（SiC）功率半导体主导的“ 效能革命 ”正悄然改写行业规则，同时车规级功率半导体技术创新已...

2025-03-19 标签：SiC 767 0

比亚迪全新1500V车规级SiC功率芯片解读

2025年3月17日，比亚迪集团执行副总裁廉玉波正式宣布，比亚迪发布了其自主研发的全新一代1500V车规级碳化硅（SiC）功率芯片。这项技术突破被强调...

2025-03-19 标签：比亚迪 SiC 功率芯片 3.3k 0

onsemi推出新一代SiC智能电力模块，助力降低能耗与系统成本

近日，半导体技术公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能电力模块(IPM)，型号为SPM31。这款以金属氧化物半导体场效应晶体管(...

2025-03-18 标签：晶体管 SiC IPM 825 0

国内首条8英寸车规级SiC产线正式通线！ST本土化战略再进一步

电子发烧友网综合报道在2月27日，意法半导体（ST）和三安光电宣布双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂正式通线。这也意味着这个近年海外半导体巨头...

2025-03-18 标签：ST SiC 4.7k 0

只有采用SiC碳化硅功率模块的变流器PCS才能让工商业储能印钞机狂飙

采用碳化硅（SiC）功率模块的工商业储能变流器（PCS）之所以被称为“印钞机”，是因为其在效率、成本、可靠性和系统集成等方面实现了革命性突破，显著提升了...

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SiC全桥碳化硅模块在家储系统电池充放电DC-DC中的应用优势

BMH027MR07E1G3碳化硅全桥模块在家储系统电池PACK充放电DC-DC中的应用优势 BMH027MR07E1G3作为一款650V全桥碳化硅MO...

2025-03-17 标签：DC-DC SiC 碳化硅 556 0

国产SiC碳化硅功率PIM模块取代英飞凌PIM模块的技术优势

国产SiC碳化硅功率PIM模块BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模块FP35R12N2T7_B67的综合技术优势分析 FP35R12N2T7_...

2025-03-16 标签：SiC pim 碳化硅 1k 0

2025年SiC市场需求增长点在哪？

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2024年，SiC市场经历了动荡的一年。从过去的供不应求，受到大规模产能释放的影响，迅速转变为供过于求；另一方面，...

2025-03-17 标签：SiC 3.8k 0

突破电动汽车动力系统的技术瓶颈：先进的SiC沟槽技术

随着汽车市场向主流采用加速，电力电子技术已成为创新的基石，推动了卓越的性能和效率。在这一技术演变的前沿，碳化硅(SiC)功率模块作为一项关键进展，重新定...

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瞻芯电子推出全新碳化硅半桥功率模块IV1B12009HA2L

近日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低...

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国产SiC碳化硅模块解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势

BMF240R12E2G3解决工商业储能PCS多维度痛点的技术优势分析一、效率提升：高频、低损耗与高温稳定性低导通电阻与开关损耗优势 BMF240R...

2025-03-11 标签：SiC 储能 PCS 714 0

中国制造2025：SiC碳化硅功率半导体的高度国产化

碳化硅功率半导体的高国产化程度是中国制造2025战略的典型成果，通过政策引导、产业链整合、技术创新与市场需求共振，实现了从“进口替代”到“全球竞争”...

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扬杰科技联合举办SiC和IGBT功率产品合作交流会

近日，由扬州市集成电路产业链、扬州扬杰电子科技股份有限公司联合举办的“扬帆起航共赢未来”SiC、IGBT功率产品合作交流会在扬州隆重举行。

2025-03-07 标签：IGBT SiC 扬杰科技 1.2k 0

SiC与GaN技术专利竞争：新兴电力电子领域的创新机遇

在过去十年中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势，如降低功率损耗、更高的开关速度以及能...

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2025年被广泛视为碳化硅（SiC）器件在电力电子应用中全面替代IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的元年，在于国产SiC（碳化硅）单管和模块价格首次低于进口...

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士兰微电子8英寸碳化硅项目封顶

近日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。封顶仪式现场，海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜，士兰微电子...

2025-03-04 标签：士兰微电子 SiC 碳化硅 1.1k 0

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