0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

比亚迪全新1500V车规级SiC功率芯片解读

ben111 2025-03-19 14:08 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2025年3月17日,比亚迪集团执行副总裁廉玉波正式宣布,比亚迪发布了其自主研发的全新一代1500V车规级碳化硅(SiC)功率芯片 。这项技术突破被强调为行业内首次实现量产应用的最高电压等级车规级SiC功率芯片 。此款芯片是比亚迪最新发布的纯电动技术平台——超级e平台的核心组成部分 。比亚迪选择在发布新一代纯电技术平台以及王朝系列新旗舰车型汉L和唐L的预售发布会上公布这一创新成果 ,这表明该芯片技术与新车型有着紧密的联系,并预示着比亚迪在电动汽车领域的技术实力迈上新的台阶。比亚迪此举不仅展示了其在核心技术研发方面的实力,也预示着其在未来电动汽车市场竞争中将占据更有利的地位。

比亚迪1500V车规级SiC功率芯片的技术亮点

比亚迪发布的这款全新车规级SiC功率芯片最引人注目的特点是其高达1500V的电压等级。这一电压等级在目前已量产的车规级SiC功率芯片中是最高的。该芯片的设计目标是支持兆瓦级(1MW)的快速充电 ,旨在实现电动汽车充电速度与燃油车加油速度相媲美的“油电同速”体验,搭载该芯片的汉L车型能够实现充电5分钟续航400公里的能力 。为了达到这一目标,比亚迪的超级e平台采用了全域千伏高压架构,将电池、电机电源、空调等系统电压提升至1000V以上,并配合高达1000A的充电电流,实现了1000kW(1MW)的峰值充电功率 。据称,该平台支持高达10C的充电倍率,在行业内处于领先地位 。值得一提的是,这款1500V车规级SiC功率芯片是比亚迪全技术链自研自产的成果 ,这体现了比亚迪在新能源汽车核心技术领域的深度布局和自主创新能力。

车规级功率芯片在新能源汽车中的关键作用

车规级功率芯片在新能源汽车中扮演着至关重要的角色,它们是保障电动汽车性能和安全运行的关键 。与消费级和工业级芯片相比,车规级芯片对稳定性、安全性以及可靠性的要求更为严苛 。这些芯片需要在极端恶劣的汽车运行环境中,例如高温、高湿以及剧烈的震动等条件下,保持其高性能和高可靠性 。车规级功率半导体器件主要包括绝缘栅双极型晶体管IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及碳化硅(SiC)功率器件等 。在新能源汽车中,功率芯片被广泛应用于电机驱动系统、车载充电器(OBC)、直流-直流(DC-DC)转换器以及非车载的充电桩等关键系统中,负责电能的转换和控制 。随着全球新能源汽车市场的快速发展和需求的日益增长,车规级功率芯片的需求也随之显著增加。相较于传统的燃油汽车,电动汽车对功率半导体的需求量和价值量更高,功率半导体在新能源汽车的半导体价值中占据了更大的比例 。因此,功率芯片的技术进步直接影响着电动汽车的性能、效率以及成本。

碳化硅(SiC)功率器件的优势分析

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,相较于传统的硅(Si)材料,在制造功率器件方面展现出诸多优越的特性 。SiC拥有更高的击穿电压强度,大约是硅的十倍,这使得SiC器件能够承受更高的电压,并允许设计更薄的漂移层,从而降低导通电阻和功率损耗 。此外,SiC的禁带宽度是硅的三倍,这意味着SiC器件在更高的温度下能够保持更低的漏电流和更稳定的性能 。SiC还具有更高的热导率,约为硅的3.5倍,这有助于更有效地散发热量,简化冷却系统的设计,并提高器件的可靠性 。SiC功率器件还具备更快的开关速度,能够显著降低开关损耗,并支持更高的开关频率,这对于提高电力电子系统的效率和功率密度至关重要 。这些优异的特性使得SiC功率器件在电动汽车的电机驱动、车载充电器以及电源转换系统等应用中能够实现更高的效率、更小的体积和更轻的重量,并最终有助于延长电动汽车的续航里程和缩短充电时间 。

属性硅 (Si)碳化硅 (SiC)SiC 的优势对电动汽车的相关性参考 Snippet
击穿电压强度1x10x更高更高电压运行,更低损耗
禁带宽度1x3x更宽更高温度运行,更低漏电流
热导率1x3.5x更高更好的散热,更高的功率密度
电子饱和漂移速度1x2x更快更快的开关速度,更低的开关损耗

1500V高电压平台对电动汽车性能的提升

采用1500V高电压平台对电动汽车的性能提升是多方面的。最直接的优势在于能够实现显著更快的充电速度,这是通过允许更高的功率传输来实现的 。比亚迪此次发布的1500V SiC功率芯片正是为了匹配这种超高功率充电的需求。高电压平台使得电动汽车的充电时间能够缩短到与燃油车加油时间相当的水平,真正实现“油电同速”的愿景 。例如,比亚迪汉L在1500V高压平台的支持下,可以实现充电5分钟续航400公里的能力 。此外,更高的电压平台还有助于提升续航里程,这是因为在相同的功率需求下,更高的电压意味着更低的电流,从而有效降低了车辆电气系统中的能量损耗(I²R损耗) 。能量效率的提升不仅关乎续航,也对电动汽车的整体性能表现有着积极的影响 。比亚迪的超级e平台是全球首个量产的乘用车全域千伏高压架构,其电池、电机、电源、空调等关键系统都达到了1000V的电压水平,这为实现兆瓦级的充电功率和卓越的性能奠定了基础 。

比亚迪的战略意义:垂直整合与技术自主

比亚迪自主研发并量产1500V SiC功率芯片的举动,充分体现了其强大的垂直整合战略。比亚迪拥有从芯片设计、晶圆制造到模块封装等完整的技术链条 。这种垂直整合的模式使得比亚迪能够更好地掌控其供应链,降低对外部供应商的依赖,从而有效应对诸如芯片短缺等风险 。比亚迪董事长王传福曾表示,高度垂直整合有利于提高创新效率,并能在新能源汽车替代燃油车的革命中取得领先地位 。通过内部生产关键零部件,比亚迪不仅能够实现成本优势 ,还能更快地响应市场变化,加速技术迭代和产品升级。在新能源汽车市场竞争日益激烈的背景下,掌握核心技术的自主权对于车企的长期发展至关重要 。比亚迪在功率半导体领域的提前布局和持续投入,使其在行业内建立了显著的技术壁垒 。

行业趋势与未来展望:高电压平台与SiC技术的普及

目前,整个新能源汽车行业正呈现出向更高电压平台发展的趋势 。除了比亚迪,包括保时捷、现代、起亚、通用汽车、Rivian、吉利、小鹏汽车、广汽埃安、理想汽车、北汽极狐、岚图等众多汽车制造商都已发布或计划推出基于800V甚至更高电压平台的电动车型 。一些企业,如华为,也推出了面向未来的千伏级高压快充解决方案 。与此同时,碳化硅功率器件在电动汽车领域的应用也越来越广泛 。包括博世意法半导体、Wolfspeed、onsemi等主要的半导体供应商都在积极投入SiC技术的研发和生产 。甚至一些整车企业,如理想汽车,也开始布局自研SiC功率模块 。随着SiC技术的不断成熟和生产规模的扩大,其成本预计将会逐步降低,从而推动SiC在电动汽车领域的更广泛应用。比亚迪此次发布的1500V SiC功率芯片,无疑走在了行业前列,预示着未来电动汽车在充电速度和整体性能上将迎来新的突破。

结论

比亚迪全新1500V车规级SiC功率芯片的发布,是电动汽车技术领域的一项重大突破。这款芯片不仅代表了当前量产车规级SiC功率芯片的最高电压水平,更重要的是,它为实现超快速充电、提升电动汽车的续航能力和整体效率奠定了坚实的基础。比亚迪通过垂直整合的战略,实现了核心技术的自主可控,这使其在竞争激烈的市场中拥有显著的优势。随着整个行业向高电压平台和SiC技术转型,比亚迪的这一创新举措无疑将引领电动汽车进入“油电同速”的新时代,并对未来的电动汽车市场格局产生深远的影响。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 比亚迪
    +关注

    关注

    20

    文章

    2589

    浏览量

    56455
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3908

    浏览量

    70321
  • 功率芯片
    +关注

    关注

    0

    文章

    122

    浏览量

    16086
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三电平ANPC拓扑损耗分布均衡算法:提升1500V平台可靠性

    基于SiC模块构建的三电平ANPC拓扑损耗分布均衡算法:提升1500V平台可靠性的核心逻辑 引言 在全球能源结构向深度脱碳转型的宏观背景下,光伏(PV)发电系统与大容量电池储能系统(BESS)正朝着
    的头像 发表于 04-24 18:17 422次阅读
    三电平ANPC拓扑损耗分布均衡算法:提升<b class='flag-5'>1500V</b>平台可靠性

    一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【上】

    提供核心器件保障。 2026 年 1 月,发布 1200V/1700V SiC 功率模块,适配 800V 高压主驱平台与储能变流器场景。 2
    发表于 03-24 13:48

    高压差分探头±1500V 测量范围怎么理解?

    在高压电子测量场景里,高压差分探头是测浮地电路、变频器、光伏逆变器等设备的核心工具,而探头参数表上醒目的±1500V测量范围,更是选型和使用时的关键参考。很多工程师因为没摸清差分测量的逻辑,误读这个
    的头像 发表于 03-19 08:58 387次阅读
    高压差分探头±<b class='flag-5'>1500V</b> 测量范围怎么理解?

    1500V 高压平台普及:商用车与矿卡电驱动的SiC模块三电平配置技术报告

    1500V 高压平台普及:商用车与矿卡电驱动的SiC模块三电平配置技术报告 引言:商用车全面迈向 1500V 架构的物理必然性与时代背景 在商用汽车、重型干线物流以及高载荷矿山机械的电动化进程中
    的头像 发表于 03-14 21:30 526次阅读
    <b class='flag-5'>1500V</b> 高压平台普及:商用车与矿卡电驱动的<b class='flag-5'>SiC</b>模块三电平配置技术报告

    FCB飞跨电容升压拓扑1500V光伏MPPT分立器件解决方案

    针对1500V光伏MPPT(最大功率点跟踪)系统,采用飞跨电容升压拓扑(Flying Capacitor Boost,简称FCB,亦称三电平Boost)是目前业内最先进且高效的主流解决方案。
    的头像 发表于 03-14 13:33 825次阅读
    FCB飞跨电容升压拓扑<b class='flag-5'>1500V</b>光伏MPPT分立器件解决方案

    高压差分探头±1500V测量范围详解

    ±1500V含义、拆解误区、梳理实操要点,助力精准安全测量。 核心要点:±1500V是差分电压的双向峰值上限,与单端对地电压无关。 高压差分探头的核心是测量两个测试点的电压差,而非单端对地电压。±1500V是其硬件
    的头像 发表于 03-10 09:27 225次阅读
    高压差分探头±<b class='flag-5'>1500V</b>测量范围详解

    单通道低边驱动器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系统高效运行

    ,SiLM27531M级低边单通道门极驱动器。该产品支持30V供电,提供5A强驱动电流与纳秒传输延迟,具备优异的抗噪特性与负压耐受能力,可高效、可靠地驱动MOSFET、
    发表于 01-07 08:07

    深度解析级低边单通道门极驱动SiLM27531H

    、变频器中的隔离或非隔离驱动电路。 总结在功率半导体技术快速迭代向GaN、SiC演进的时代,门极驱动器的性能已成为决定系统天花板的关键一环。SiLM27531H以其
    发表于 12-12 08:39

    与消费芯片的差异与影响

    芯片与消费芯片在设计目标、应用场景及性能要求上存在显著差异,其核心区别源于各自服务的产品
    的头像 发表于 11-27 14:14 1132次阅读
    <b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>与消费<b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>芯片</b>的差异与影响

    CYNTEC功率电感VCGA052T:高性能替代Eaton SDCHA1V50

    在汽车电子领域对高可靠性元件需求日益增长的背景下,CYNTEC推出的功率电感VCGA052T凭借卓越性能成为Eaton SDCHA1V
    发表于 11-05 13:59

    倾佳电子先进拓扑与碳化硅器件在1500V大型地面光伏电站高效MPPT中的应用:基于基本半导体SiC元器件的飞跨电

    倾佳电子先进拓扑与碳化硅器件在1500V大型地面光伏电站高效MPPT中的应用:基于基本半导体SiC元器件的飞跨电容升压变换器技术解析 第一章:高压地面光伏系统的演进:向1500V直流标准的迈进
    的头像 发表于 10-11 10:57 1367次阅读
    倾佳电子先进拓扑与碳化硅器件在<b class='flag-5'>1500V</b>大型地面光伏电站高效MPPT中的应用:基于基本半导体<b class='flag-5'>SiC</b>元器件的飞跨电

    千伏时代来临,SiC功率模块站上风口?

    3月17日,比亚迪召开超级e平台技术发布会。此次发布的核心亮点包括全新一代1500V碳化硅(SiC)功率模块的量产应用、兆瓦闪充及3万转电机
    的头像 发表于 08-14 15:29 891次阅读
    千伏时代来临,<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>模块站上风口?

    SiLM27531HAC-7G单通道 30V, 5A/5A 高欠压保护阈值的高速低边门极驱动解析

    的 VDD 供电,轻松满足20V+驱动需求(如IGBT、SiC)。UVLO阈值13.5V~30V,适配高驱动电压应用。 卓越鲁棒性与可靠性:
    发表于 08-09 09:18

    和消费有什么区别?为什么自动驾驶需要

    [首发于智驾最前沿微信公众号]某企高管专门讨论某使用消费芯片的事情,再次引发了关于
    的头像 发表于 07-15 08:55 2121次阅读
    <b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>和消费<b class='flag-5'>级</b>有什么区别?为什么自动驾驶需要<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>?

    圣邦微电子推出36V电源电压监测芯片SGM880xQ

    圣邦微电子推出 36V 电源电压监测芯片 SGM880xQ,凭借其高精度、低功耗及
    的头像 发表于 06-12 12:50 2602次阅读
    圣邦微电子推出36<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>电源电压监测<b class='flag-5'>芯片</b>SGM880xQ