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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

2023-12-20 标签：MOSFET 电磁干扰 SiC 8.7k 2

一起来聊聊赛米控丹佛斯的DCM系列

随着碳达峰，碳中和的提出，新能源相关的产业可以说是得到了飞速的发展，包括风光储以及马路上每天看得见的新能源汽车。

2023-09-12 标签：新能源汽车散热器 SiC 8.6k 0

Si3N4为何要用AMB工艺？AMB Si3N4的生产流程介绍

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。

2023-04-01 标签：电动汽车 SiC DBC 8.6k 0

SiC功率器件是怎样进行封装的？有什么要点？

使用三种无铅焊料系统：Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24几乎实现了无孔隙焊点。实验看到，焊点厚度在热退火之前和之后...

2018-08-23 标签：芯片封装 sic 8.6k 0

SiC如何实现比硅更好的热管理？SiC在电子领域有哪些应用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）系列材料。它的物理键非常牢固，使半导体具有很高的机械，化学和热稳定性。宽...

2021-03-18 标签：MOSFET 功率器件 SiC 8.5k 0

碳化硅在光伏发电逆变器上的应用案例

消费者、各行业及政府都在采取各项措施以增加对可再生能源的利用，这正在将发电和输配电系统从中心化的电网转换成更加智能化网格化的，支持本地发电的拓扑，并通过...

2020-12-10 标签：智能电网太阳能光伏 SiC 8.4k 0

SiC外延工艺基本介绍

外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进...

2023-05-31 标签：MOSFET 晶圆工艺 8.3k 0

SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策

针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题，文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比，有效减小测量误差；然后详细分析串扰引起模块栅...

2023-06-05 标签：三极管 MOSFET 探头 8.3k 0

SiC MOSFET学习笔记2：短路保护—软关断

想象一个场景：一辆高端新能源车行驶在高速公路上，作为把电池中的直流电转化为交流电送到电机的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你关...

2023-05-30 标签：MOSFET 比较器 SiC 8.3k 1

认识碳化硅晶锭切割

众所周知单晶材料是SiC功率半导体技术和产业的基础，依据器件的使用，还会要求SiC单晶片要有高的表面质量

2022-10-25 标签：SiC 碳化硅 8.2k 0

宽带隙半导体开关：缓慢的开关沿可减少过冲和EMI

在宽带隙半导体开关的新时代，器件类型的选择包括具有自己的特性并声称具有最佳性能的SiC MOSFET和GaN HEMT单元。但是，这两者都不是理想的开关...

2021-03-18 标签：电容器 MOSFET 缓冲器 8.2k 0

深入了解Soitec的SmartSiC技术

在电动汽车的逆变器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代传统的硅基逆变器时，SiC 解决方案将带来约 5-10% 的效率提升。

2023-07-11 标签：电动汽车 MOSFET 逆变器 8k 0

深度了解SiC的晶体结构

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，因其内部结构堆积顺序的不同，形成不同的SiC多型体，本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能...

2024-11-14 标签：半导体晶体 SiC 8k 0

SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特...

2024-10-16 标签：MOSFET 半导体封装技术 7.8k 0

MOS_DS电压尖峰产生的原因

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。

2023-05-19 标签：MOSFET MOS管 SiC 7.8k 0

SiC和GaN功率半导体在混合动力和电动汽车的主传动系逆变器中的应用

SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管（晶体管、开关管）。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积...

2018-06-05 标签：电动汽车半导体 SiC 7.6k 0

长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现

内燃机 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽车对动力子系统的需求一直呈指数级增长，以支持高级辅助驾驶系统 (ADAS)、电动车窗、车门和后视镜、内部网络...

2019-08-19 标签：MOSFET SiC Ev 7.6k 0

SiC功率器件中的失效机制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用，例如电动汽车充电和牵引、储能系统和工业电源。SiC 功率...

2023-12-15 标签：MOSFET 半导体肖特基二极管 7.5k 0

碳化硅跟石墨怎样分辨？哪个比较好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

2023-02-17 标签：SiC 电阻炉碳化硅 7.4k 0

SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展

与 Si 器件相比， SiC 器件具有更加优异的电气性能，新特性给其结温评估带来了新挑战，许多适用于 Si 器件的结温评估方法可能不再适用于 Si...

2023-04-15 标签：MOSFET 半导体功率器件 7.4k 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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