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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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外延层的掺杂浓度对SiC功率器件的重要性

控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。

2022-04-11 标签：工艺功率器件 SiC 1.0万 0

沟槽就是战壕：英飞凌碳化硅CoolSiC™

战争在战壕中决出胜负，而沟槽就是我们的前线战壕。也就是说，前线奋战人员凭借他们的集体合作和努力决定最终的胜利。作为电源管理应用的设计工程师，本文的读者就...

2023-03-13 标签：英飞凌二极管 MOSFET 1.0万 0

各种SiC功率器件的研究和开发进入迅速发展时期

SiC的禁带宽度3.23ev，相应的本征温度可高达800摄氏度。如果能够突破材料及封装的温度瓶颈，则功率器件的工作温度将会提升到一个全新的高度。SiC材...

2018-05-11 标签：功率器件 sic 10k 0

英飞凌碳化硅技术大解析

电力电子未来发展的趋势之一是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计,所以如何降低动态损耗至关重要。因为SiC材料的本征特性,SiC器件的电容相当小。在...

2018-05-02 标签：英飞凌肖特基二极管 SiC 9.9k 0

三菱电机成功开发6.5kV全SiC功率模块实现世界最高功率密度额定输出功率

1月31日，三菱电机株式会社宣布已成功开发出6.5kV耐压等级全SiC功率半导体模块，该模块采用单芯片构造和新封装，实现了世界最高功率密度的额定输出功率。

2018-02-03 标签：三菱电机 sic 功率模块 9.9k 0

碳化硅的工作原理、优点及主要用途

　　碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合...

2023-02-06 标签：半导体功率器件 SiC 9.8k 0

沟槽型SiC MOSFET工艺流程及SiC离子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更...

2022-10-27 标签：MOSFET 功率器件 SiC 9.8k 0

如何正确应用合适的功率器件以满足工业电源要求

本文介绍了适用于工业电源应用的各种电源转换器拓扑结构，以及设计人员在选择拓扑结构及其相关组件之前必须考虑的因素。在此过程中，它介绍了 ROHM 半导体的...

2022-07-26 标签：MOSFET 功率器件 SiC 9.5k 0

一种先进的利用电流检测端子实现的全SiC模块过流和短路保护方法

采用电流检测并用于FMF800DX-24A的先进保护方法是通过参考设计RDHP-1417来实现的(其采用驱动核2SC0435T)[4][5]，并包括过压...

2018-04-10 标签：电流 MOSFET SiC 9.4k 0

瞻芯电子比邻驱动系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片介绍

比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。

2023-07-21 标签：MOSFET SiC 驱动芯片 9.4k 0

深度解析SiC/GaN功率转换器驱动

为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的 IC 生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。

2018-11-28 标签：功率转换器 SiC GaN 9.4k 0

采用SiC材料元器件的特性结构介绍

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是...

2018-09-29 标签：mosfet 半导体 sic 9.3k 0

相较IGBT，SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能？

随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 标签：电动汽车安森美 IGBT 9.3k 0

SiC MOSFET：是平面栅还是沟槽栅？

沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET...

2023-04-27 标签：电阻 MOSFET SiC 9.2k 0

SiC MOSFET的驱动设计要求及应用

如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

2018-08-20 标签：mosfet 太阳能 sic 9.2k 0

智能混合信号无桥图腾柱PFC控制器解决AC-DC电源能效挑战

　　评估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路开关采用GaN HEMT，交流电同步整流器采用Si-MOSFET，在整个电源电压范围内...

2022-05-06 标签：电源 MOSFET SiC 9k 0

碳化硅功率器件解读碳化硅与车载充电器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，让新能源汽车充电更快，续航更长

2022-09-23 标签：新能源汽车充电器 SiC 8.9k 0

先进单沟道高压隔离栅极驱动器GD3160介绍

电动车逐渐代替燃油车已经成为一种不可逆转的趋势。电动车上最主要的动力来源就是主驱电机，所以作为主驱电机的控制方案就变得尤为重要。

2023-06-26 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 8.9k 0

IGBT和SiC电源开关知识科普

IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的...

2022-03-18 标签：IGBT 电源开关 SiC 8.8k 0

碳化硅晶片生产工艺流程

采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。

2023-09-27 标签：SiC 电磁感应硅晶片 8.8k 0

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