SiC MOSFET的驱动设计要求及应用
本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
141文章
6575浏览量
210148 -
太阳能
+关注
关注
37文章
3216浏览量
113106 -
SiC
+关注
关注
28文章
2443浏览量
61417
发布评论请先 登录
相关推荐
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高
SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效
发表于 09-05 07:32
SiC MOSFET栅极驱动电路的优化方案
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了
发表于 08-03 11:09
•785次阅读
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特
用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器使用指南
MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安
为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为
发表于 06-16 06:04
如何实现SiC MOSFET的短路检测及保护？
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动
发表于 06-01 10:12
•1225次阅读
优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法
在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明 显的优势。
发表于 05-26 09:52
•510次阅读
工商网监
评论