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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。
SiC MOSFET实现高频大功率变换——固态变压器应用案例剖析
在传统的配电网结构中，工频变压器是实现电能分配和电压等级变换的主要电气设备。工频变压器的主要组成部件为铁芯和绕组，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...
英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2，助力下一代高性能电源系统
所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。...
使用Simcenter全面评估SiC 器件的特性——Simcenter为热瞬态测试和功率循环提供全面支持
内容摘要传统的硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有成熟的技术和低廉的成本，在中压和绝缘栅双极晶体管(IGBT)高压功率电子器件中占主导...
作者：James Victory，安森美电源方案事业群 TD 建模和仿真方案研究员 在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器...
随着全球对电动汽车接纳度的逐渐提高，碳化硅(SiC)在未来的十年里将迎来全新的增长机遇。预计，将来功率半导体的生产商和汽车行业的运作商会更积极地参与到这...
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率...
功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案
栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真，模拟器件的开关状态，掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等，其核心还是理论计算。
效率、生产力和立法是当今电力应用的主要市场驱动力。利用更少的能源生产更多的产品，节约能源成本，更加关注更好的转换效率和更小、更轻的系统。 在这方面，功率...
在现代电子行业，随着能源效率要求的不断提高和高温、高频、高压应用的增多，传统的硅（Si）基功率器件正逐渐显露出性能上的局限性。
SiC技术已广泛应用于电动汽车、工业、可再生能源/电网和其他应用的中压和高压应用中。为了充分发挥其优势，系统开发人员必须首先抵消其更快的开关速度带来的不...
在当今追求高效能、高耐用性的电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越性能，成为了领域内的明星产品，它的出现预示着一次技术革命的悄然到来。
不同的热膨胀系数 （CTE） 会产生应力并导致故障。嵌入到 AlN（周围有铜层）等陶瓷基板上可以提供与SiC更好的 CTE 匹配，同时还可以创建所需的隔...
在 IP65 保护系统中，所有组件的耗散功率只能通过其表面（主要是散热器）排出。因此，嵌入式系统中使用的逆变器的设计必须限度地减少功耗，并使用良好的热界...
什么是SiC boat？SiC boat有几种不同的制作工艺？
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在炉管中，装载载晶圆进行高温处理的耐高温配件。
在追求能源效率和对高性能电力电子系统的需求不断增长的今天，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越的电气性能和热稳定性，正在变革传统功率电子技术。
短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用，其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。
随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。
碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。
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