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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。
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美光科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232层QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满...
SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Z...
美光科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,美光还...
三星第九代V-NAND 1TB TLC量产,密度提升逾50%
第九代V-NAND采用双堆叠设计,将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
据相关业内人士21日透露,近期三星电子NAND开工率已提高至90%,此前存储行业衰退时三星开工率一度下降至60%。
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND (3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236层第八代V-NA...
2024 年伊始,汽车市场就开始弥漫着浓浓的硝烟味道,年味还没散尽,比亚迪就用“电比油低”揭开了新一轮“战争”序幕。
市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。
就在几天前的4月3日,台湾花莲县海域遭受了一场7.3级的强烈地震,并伴随着多次余震,给当地带来了严重的破坏。
已证实,西部数据已向客户发函,宣布将对NAND闪存及硬盘产品价格进行调整。西部数据就产品供应困难发表声明,称市场需求远超预期,导致供应紧张,加剧了电子行...
铠侠计划2030-2031年推出千层级3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)
目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存,这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
Flash存储芯片:NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC的比较与解析
前言 在数字化时代的今天,数据的存储和管理变得越来越重要。各种各样的存储技术应运而生,以满足不同的使用场景和需求。其中,Flash存储芯片以其非易失性、...
内存由 DRAM 和 NAND 产品组成,对于自 1993 年以来成为全球最大内存制造商的三星来说,最为重要。虽然该公司始终只公布 DS 部门的盈利,但...
创见MTE310S PCIe 4.0固态硬盘,支持SLC缓存与LDPC纠错
值得一提的是,创见为 MTE310S 固态硬盘提供长达五年的保修期,保证 200 万小时的平均故障间隔时间。至于产品售价和具体上市日期,官方暂未对外透露。
全球领先的半导体企业 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布其位于西安的封装和测试新厂房已...
Atonarp过程控制质谱仪Aston™半导体工艺解决方案案例
上海伯东代理日本 Atonarp 过程控制质谱仪 Aston™, 通过使用分子传感技术, 提供半导体制程中 ALD, CVD, 蚀刻, ALE 和腔室...
慧荣科技推出PCIe Gen4 BGA FerriSSD® ,搭载i-temp的高性能工业和汽车解决方案
台北和美国加州讯,2024 年 3 月 27 日-- 全球 NAND 闪存主控芯片领导厂商慧荣科技 (NasdaqGS: SIMO),今日宣布推出新一代...
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