三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

在全球对高性能和大型存储设备需求日益增长的背景下，三星电子公司宣布将于本月正式开启其290层第九代垂直（V9）NAND芯片的批量生产。此举不仅彰显了三星在推动行业向高堆叠、高密度闪存技术转型中的领军地位，也进一步巩固了其在全球存储芯片市场的领导地位。

市场研究机构Omdia的最新预测显示，尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑，但预计今年将迎来强劲反弹，增长率高达38.1%。面对这一市场机遇，三星公司决心加大对NAND业务的投资，以抢占更多的市场份额。

作为NAND市场的长期领导者，三星自2002年以来一直保持着技术创新的步伐。其独特的单堆栈技术，通过减少堆叠数量而实现更多的层数堆叠，使公司在行业中脱颖而出。相比之下，竞争对手如SK海力士和美光科技则采用了72层的双堆栈技术。

然而，三星并未止步于此。公司高管透露，他们的长远目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以实现更高的存储密度和性能。这一雄心勃勃的计划无疑将为三星在全球存储芯片市场赢得更广泛的认可。

据此前报道，三星计划于2024年投产300层以上的V-NAND芯片，有望在时间上领先竞争对手SK海力士一年。尽管目前三星最前沿的堆叠式NAND已达到236层，领先美光和长江存储，但与SK海力士相比仍有两层之差，但这并未影响三星在追求更高堆叠层数方面的决心。

值得注意的是，三星在追求技术突破的同时，也面临着堆叠层数增加带来的良率风险。然而，业界普遍认为，三星已经找到了解决这一潜在问题的有效方案，有望在未来实现更高的良率和更稳定的生产。

随着本月晚些时候290层V9 NAND芯片的量产启动，以及明年计划推出的430层NAND芯片，三星电子正稳步迈向其NAND技术发展的下一个里程碑。

审核编辑：黄飞