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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。
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日本灾害造成巨大的人员伤亡,一年后,继续给日本民众与经济留下难以磨灭的印迹。但是,在制造业方面存在一线希望,即灾害对于NAND闪存产业的影响不大而且只是...
市场研究机构IHS iSuppli估计,在全球平板电脑应用的NAND闪存市场贡献近八成的苹果,将在2015年以前继续稳坐平板电脑NAND采购大户宝座。
北京时间2月29日凌晨消息,英特尔同意与美光科技扩大就闪存芯片领域的合资企业合作,提高双方关系的效率和灵活性。根据双方达成的协议,美光将为英特尔供货NA...
2011年全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元
据媒体报道,根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据,2011年第四季度全球第四季度...
英特尔今天宣布发布使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的 SSD 710型号,MLC就是多层单元封装,HET则代表着高耐久性技术(High Endu...
在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局, 三星电子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米...
英特尔和美光将投入2bit单元25nm MLC NAND闪存
目前,限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量,而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及,积极地研制新制程技术,以期望带来更具性价比的产品。显然,英...
2011-01-02 标签:NAND 1.2k 0
高性能20纳米级NAND闪存存储器 SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解...
09年全球前十大NAND供应商排行榜出炉 市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND快闪记忆体供应商排行榜,三星电子(...
2010-04-06 标签:NAND 2k 0
IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售 Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,...
Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品 南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,...
技术领先领先别无所求:Intel NAND闪存新战略纵览 在最近举办的一次会议上,Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone...
危机中求生存 东芝拟关闭福冈NAND工厂 据日本经济新闻报导,东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工...
2010年NAND Flash价格发展持续两极化 NAND Flash市场未脱传统淡季,仍在等待苹果(Apple)补货效应出现,2010年1月...
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