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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。
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群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片出货,单颗容量即可达128GB
快闪存储器(NANDFlash)控制芯片及储存解决方案领导群联6日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3DNANDFlash之的SSD控制芯...
西数谈中国NAND竞争:仍有技术优势 2020年前中国厂商意义不大
面对中国厂商在NAND市场上的威胁,这些公司是怎么看的呢?西数公司日前表态称NAND领域技术很难,他们在这方面依然有优势,中国的NAND厂商在2020年...
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。
2016年以来,存储芯片价格持续上涨,今年已经是第三个年头。虽然NAND闪存、SSD等产品已经有所回落,但内存依然没有下跌势头。不过,业内普遍预测,到...
台北电脑展拉开序幕,AS2258 SSD控制芯片将会是点序最大的亮点
一年一度的台北电脑展即将在6月5日拉开序幕,届时将吸引国内外知名企业参展。全球闪存控制芯片供货商点序科技以「点序十年,记忆相随」(ASolid – A ...
3月30日,“智涌钱塘”2018AI Cloud生态国际峰会在G20主会场·杭州国际博览中心隆重举行。在此次峰会上,希捷科技作为海康威视重要的合作伙伴...
DRAM-less利用HMB技术优化成本,弥补IOPS性能劣势
2017 年受 NAND Flash 涨价因素的影响,SATA SSD 与 PCIe SSD 仍有 10%的差价,由于 PCIe SSD 较 SATA ...
在半导体业,有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此,弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2018年全球NAND Flash价格一路走跌,由于市场需求增长平缓,业者预期下半年将延续跌势,随着国际NAND Flash大厂纷纷加码投资次时代技术堆...
在三星、海力士持续扩产下,2018年DRAM供给端产能可能再成长10%
DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元,国际半导体产业协会SEMI预估,在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRA...
随着3D NAND产出的增加,2018年全球SSD出货量有望冲刺2亿台
随着64层/72层3D NAND产出的增加,以及原厂QLC和96层3D技术快速发展,NAND Flash在经历2年涨价后,2018年市场行情从缺货转向...
国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产?对于国产你期待吗?
紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露,紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元,历时2年研发成功了国内第一颗32层3DN...
长江存储明年量产64层128Gb的存储器,突破国产存储芯片“零”实现
继2017年5月言辞犀利地抨击了高通在华投资企业瓴盛科技后,紫光集团董事长赵伟国在首届中国国际智能产业博览会上又“怼”上了高通。
紫光旗下长江存储的全新3D NAND架构技术隆重亮相2018重庆智博会
2018年8月23日,首届中国国际智能产业博览会(简称“智博会”)在重庆国际博览中心盛大开幕。紫光集团作为中国最大的综合性集成电路企业,以“从芯到云,...
DRAM和NAND闪存需求的持续增长,三星上半年销售额领先英特尔
8月21日,调研公司IC Insights发布报告称,由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长,今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出...
8月21日,调研公司IC Insights发布报告称,由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长,今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出2...
使用基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,NAND闪存的使用寿命将加倍
Altera公司开发了基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,与目前的NAND闪存相比,NAND闪存的使用寿命将加倍,程序擦除周期数增加了7倍。...
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