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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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内置1700V SiC MOS的AC/DC转换器IC BM2SCQ12xT-LBZ介绍

“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。

2023-02-09 标签：电源转换器 MOSFET 2k 0

采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFE...

2023-02-09 标签：MOSFET 封装栅极 3.8k 0

SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置

关键要点・除了测量位置之外，探头的安装位置也很重要。・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内，就会受到磁通量变化的影响，而体现在观测波形上。

2023-02-09 标签：电流 MOSFET 探头 901 0

SiC MOSFET栅-源电压测量位置的选择

本文的关键要点・在某些位置测量波形时，观测到的波形可能与实际波形不同。・理想的做法是测量位置要应尽可能地靠近DUT，最好在引脚根部。

2023-02-09 标签：MOSFET 电压 SiC 980 0

SiC MOSFET栅-源电压测量：探头的连接方法

本文的关键要点・探头的连接方法会给波形测量结果带来很大影响。・如果延长线较长，在栅极引脚和源极引脚与测量夹具之间形成的环路会导致观察到的波形与真正的波形...

2023-02-09 标签：MOSFET 探头 SiC 1.4k 0

SiC MOSFET栅-源电压测量方法

本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。・受测量时所装的延长电缆的影响，观察...

2023-02-09 标签：MOSFET SiC 电压测量 1.5k 0

低边SiC MOSFET关断时的行为

通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 SiC 1.1k 0

低边SiC MOSFET导通时的行为

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC M...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 SiC 1.1k 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-有无驱动器源极引脚的差异及其效果

本文的关键要点・具备驱动器源极引脚，可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。・具备驱动器源极引脚，可以提高导通速度。

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器引脚 1.3k 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-传统的MOSFET驱动方法

MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用其降低损耗的...

2023-02-09 标签：MOSFET 驱动器 IGBT 1.8k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极...

2023-02-09 标签：MOSFET 电路板 SiC 1.8k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-负电压浪涌对策

本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误...

2023-02-09 标签：MOSFET 负电压 SiC 2k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-正电压浪涌对策

本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则...

2023-02-09 标签：MOSFET 栅极 SiC 2.1k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。

2023-02-09 标签：MOSFET SiC 浪涌 1.9k 0

CCPAK：铜夹片技术进入高压应用

一段时间以来，高压应用的要求迫使设计师不得不依赖传统功率封装，例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而，随着开关频率越来越高，这些传统封...

2023-02-09 标签：电源 MOSFET 散热器 2.4k 0

多种功率半导体在不同领域具有的优势

　　功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，理想的功率半导体器件应具有良好的静态和动态特性，在截止状态下能够承受高电压和小泄漏电流。在接通状态下，可...

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 1.6k 0

氮化镓晶体管的优点

法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。

2023-02-08 标签：集成电路 MOSFET 晶体管 1.5k 0

新型LTC1266开关稳压器可在10A负载条件下提供高效率

新型 LTC®1266 是一款同步、降压型开关稳压控制器，能够驱动两个外部、N 沟道 MOSFET 开关。N 沟道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...

2023-02-08 标签：MOSFET 1.7k 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-什么是栅极-源极电压产生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。

2023-02-08 标签：MOSFET IGBT 源极 1k 0

SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关关断时的栅极-源极间电压的动作

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示L...

2023-02-08 标签：MOSFET 栅极 SiC 1.2k 0

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