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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技术

车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力

大电流功率开关管是一个串联到主电源轨并由逻辑电路控制的低电阻MOSFET晶体管，集成了各种保护、诊断和检测功能。在大功率汽车电源系统中，通过背靠背连接的...

2023-02-10 标签：MOSFET 大电流功率 1.8k 0

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2023-02-10 标签：MOSFET 功率开关 ecu 1.6k 0

功率器件动态参数测试系统选型避坑指南

动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用...

2023-02-10 标签：MOSFET 测试系统分立器件 963 0

简述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

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2023-02-10 标签：MOSFET SiC 宽禁带半导体 2.2k 0

单片式开关稳压器—当所有一切都集成在芯片上时

开关稳压器可以采用单片结构，也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中，各功率开关（一般是MOSFET）会集成在单个硅芯片中。使用控制器构建时，除了控制...

2023-02-10 标签：MOSFET 控制器开关稳压器 644 0

开关电源八大处损耗

降压转换器的主要功能是把一个较高的直流输入电压转换成较低的直流输出电压。为了达到这个要求，MOSFET 以固定频率(fS)，在脉宽调制信号(PWM)的控...

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寻找完美的电源开关

耗电应用要求提高系统效率，以满足消费者和监管部门对更清洁空气和减少碳足迹的要求。这推动了对理想的“无损耗”电源开关的需求，在大多数现代电子系统中，这种开...

2023-02-10 标签：电源 MOSFET SOA 1.2k 0

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC...

2023-02-10 标签：开关 MOSFET IGBT 2.7k 0

通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性

本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应...

2023-02-10 标签：二极管电路图 MOSFET 2k 0

空调用电流连续模式PFC电路：利用MOSFET和二极管提高效率的案例

上一篇文章中介绍了在LED照明电路中提升效率并降低噪声的案例，本文将介绍在空调中的案例。近年来，随着表示全年能效比的APF（Annual Perform...

2023-02-10 标签：二极管 MOSFET 晶体管 3.6k 0

LED照明电路（临界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例

从本文开始将介绍在具体应用中效率等的改善案例。LED照明电路（临界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例，下面的电路摘自实际...

2023-02-10 标签：led 转换器 MOSFET 2.8k 0

内置MOSFET的同步整流式降压DC/DC转换器IC BD9V100MUF-C介绍

ROHM开发出以2MHz开关频率实现业界最高降压比的DC/DC转换器IC“BD9V100MUF-C”，并已于2017年6月开始出售样品，于2017年12...

2023-02-10 标签：转换器 MOSFET IC 1k 0

实际工作中的晶体管适用性确认-确认在实际使用温度降额后的SOA范围内

在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇将介绍右侧流程图的④确认在使用环境温度下降额的SOA范围内。

2023-02-10 标签：MOSFET 晶体管 SOA 1.1k 0

实际工作中的晶体管适用性确认-确认在SOA（安全工作区）范围内

在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇将介绍右侧流程图的③确认在SOA（安全工作区）范围内。

2023-02-10 标签：MOSFET 晶体管 SOA 1.6k 0

实际工作中的晶体管适用性确认-确认在绝对最大额定值范围内

在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇介绍右侧流程图的②确认在绝对最大额定值范围内。

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MOSFET规格相关的术语集

之前介绍了MOSFET的特征和特性。不仅MOSFET的规格书，一般规格书（技术规格书）中都会记载电气规格（spec），其中包括参数名称和保证值等。

2023-02-10 标签：二极管 MOSFET 晶体管 2.1k 0

同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS

本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。

2023-02-10 标签：MOSFET IGBT 晶体管 1.2k 0

高速trr SJ-MOSFET：PrestoMOS™系列

上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。

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高耐压超级结MOSFET的种类与特征

上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSF...

2023-02-10 标签：MOSFET IGBT SiC 2.9k 0

功率晶体管的特征与定位

从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位：首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFE...

2023-02-10 标签：MOSFET 晶体管功率晶体管 1.4k 0

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