。 晶体管中的每个层都附有引线。由此产生的端子称为发射极、基极和集电极。底座始终是中间层。 工作原理 晶体管基本上是一个电子开关。电源电压和负载通过集电极和发射极端子接线。在没有对基极端子施加电压
2023-02-16 18:22:30
此代码在MPLABX V4.05模拟器中失败，但实际工作。有人知道为什么吗？
2020-03-20 09:42:55
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
: 2SD2673的规格书（记载了绝对最大额定值）例：瞬间超过绝对最大额定值的例子（不可使用）3. 是否在SOA范围内？确认安全工作区域 (SOA *1) 1安全工作区域（SOA）表示晶体管可安全工作的区域
2019-05-05 09:27:01
安全工作区域 (SOA *1) 1安全工作区域（SOA）表示晶体管可安全工作的区域。不过，SOA只是关于1脉冲的数据，在脉冲反复混入时，需要所有脉冲都进入SOA范围内，并且通过 "4. 确认
2019-04-15 06:20:06
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统，该系
2012-08-02 23:57:09
状态），由于电荷的存储效应，晶体管工作状态的转换将有几个微妙（μs）的动作延迟，将该时间称为“恢复时间”。在发射极连接继电器线圈时需要注意线圈的反电动势在晶体管开关电路中，如果连接的被控对象为电动机或
2017-03-28 15:54:24
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
或FET电路的必要性 1．1．1 仅使用IC的场合 1．1．2 晶体管电路或FET电路的设计空间 1．2 晶体管和FET的工作原理 1．2．1 何谓放大工作 1．2．2 晶体管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要将其混淆。β和hFE大小除了与晶体管结构和工艺等有关外，还与管子的工作电流（直流偏置）有关，工作电流IC在正常情况下改变时，β和hFE也会有所变化；若工作电流变得过小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。双极晶体管（图中以NPN为例）由PN结组成，通过在基极流过电流，而在集电极
2018-11-28 14:29:28
相对于晶体管的主要评估项目的特征。 对于各项目的评估是基于代表性的特性进行的，因此存在个别不吻合的内容。请理解为整体的倾向、特征。另外，这些晶体管的结构、工作原理与代表性的参数如下。 双极晶体管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微变等效电路只适用于低频小信号放大电路，只能用来计算交流分量，不能计算总的瞬时值和静态工作点。 （4）晶体管的输入电阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式进行估算： 式中 表示晶体管
2021-05-25 07:25:25
晶体管的电参数可分为哪几种？晶体管的电参数在实际使用中有何意义？
2021-06-08 06:11:12
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
在所有电源前加一负号即可得出相同的结论），即晶体管的两个PN结均处于正偏状态。由此可以得出晶体管饱和的定义：当晶体管的两个PN结均处于正偏时，此晶体管就处于饱和状态。在实际的放大应用中，如果放大电路
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流;最后，由于集电结处存在较大的反向电压，阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散，并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区，形成集电极电流。2.场效应晶体管
2016-06-29 18:04:43
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表
2017-08-03 10:33:03
CH571F做AD时 用到内部1.05V 做基准电压，手册值给出 25℃的测试数据(1.035-1.065）)，请问,实际工作时 产品温度范围在零下30度~零上70度的范围，这个温度范围内，芯片内部的ADC参考电压的变化范围是否也是（1.035-1.065之间呢）
2022-07-25 07:17:14
开是8只75A元件并联，由于元件并联工艺（焊接）的可靠性较差，使器件较比单一管芯的晶闸管在可靠性方面明显降低。二. IGBT的擎住效应IGBT的简化等效电路如图3所示:其中的NPN晶体管和体区短路电阻
2018-10-17 10:05:39
tfe1 和tfe2 组成，如图 2 － 58 所示IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后，PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td
2018-10-18 10:53:03
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
LLC为什么不能工作在容性区？
2023-08-01 11:05:59
文章，这么看来，也不算是巧合）之外，我被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。这是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地带，这是因为每个供应商都有各自生成SOA曲线的方法，并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
频率范围内的线性大信号输出级。产品型号：MRF154产品名称：射频晶体管MRF154产品特性N沟道增强型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-输出功率＝600瓦，功率增益＝17分贝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPN晶体管排列和符号在解释原理之前，我们先来了解一下NPN晶体管的基本结构和符号。要识别NPN晶体管引脚，它将是集电极（c），基极（b）和发射极（e）。图1.NPN 晶体管结构和符号NPN晶体管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶体管的b处没有电压输入时，c和e之间没有电流流动，三极管处于截止状态。在图（b）中，当正电压输入到NPN晶体管的b时，e的N区的负电子被b中P区的正电子吸引。 由于发电厂的作用，它们冲向（扩散
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时，它的输出功率有很大一部分会被反射进器件，此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时，重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件，因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29:55
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，可以找机电方面的书看下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制
2017-09-12 11:10:57
、阻抗测试仪等)进行测量。下面介绍一种用普通测量仪器测量射频功率管在实际工作条件下的输入输出阻抗的方法。
2019-06-04 08:21:06
在功率半导体中，设计工程师使用安全工作区（SOA）来确定是否可以安全地操作器件，如功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），二极管或绝缘栅双极晶体管（ IGBT）在其应用中的电流和电压
2019-07-30 22:47:52
按工作电压的极性可分为NPN型或PNP型。》 双极结型晶体管“双极”意味着电子和空穴在工作的同时都在运动。双极结型晶体管，又称半导体三极管，是通过一定工艺将两个PN结组合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
功率晶体管的功率适用范围为什么是由它的安全工作区（SOA）来决定的？影响SOA功耗及散热器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用极限在哪里吗？
2021-04-14 06:38:16
全工作频率范围内的运放共模抑制比如何测试？
2023-11-17 09:17:54
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET实际工作条件在实际的工作中，功率MOSFET的TC的温度，也就是器件下面铜皮的温度，绝对不可能为25℃，通常远远高于25℃，有些应用达到100-120℃，一些极端的应用甚至会更高，这样
2016-10-31 13:39:12
导电，故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
`在电子元器件行业，场效应晶体管一直被誉为开关电路的“神器”，那是因为场效应晶体管具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起场效应晶体管在电路中的有何特别
2019-04-16 11:22:48
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
2011-12-19 16:30:31
场效应晶体管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性
2019-05-08 09:26:37
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2021-05-24 06:27:18
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
嗨，我已经使用ADS 2009很长一段时间了，现在正考虑换到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶体管模型时遇到了问题。我曾经通过元件列表访问2009版的实际晶体管模型，例如晶体管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
和耐用性，如果需要时还应进行不确定度评估。应用实验数据真实地证明方法的适用性、准确性和灵敏性。 1. 非标方法的确认 在《实验室资质认定评审准则》5.3.5条款中规定：实验室自行制订的非标方法，经确认后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
制的安全工作区缩小，所以在实际应用中需要用特定工作环境下的导通电阻限定安全工作区。同样，ID(max)、VD(MAX)和PD(MAX)都需要根据实际工作的环境条件进行降额和修正。SOA实测示波器
2020-04-22 07:00:00
各位前辈，请问关于晶闸管的安全工作区（SOA）应该怎么刻画呢？
2017-06-20 15:40:06
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
引起的拉应力，限制垂直漏极 - 基板泄漏电流并防止导电Si衬底中的深度击穿路径，在两者之间插入晶格缓冲层（图2）。硅体和晶体管的有源顶侧。 图2.格缓冲区 该缓冲器在确定晶体管的关键可靠性特性中起着
2023-02-27 15:53:50
输出LLC转换器，以进行效率和功率密度比较。初级晶体管选择LLC具有多种优势，因为它具有完全谐振行为，允许在整个范围内进行软开关导通，这本质上有助于最大限度地减少功率晶体管和磁性元件的损耗。在图2中
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
。在数字设备中，肯定会使用大规模集成电路，所以不会采用电子管。 通过以上的内容可以看到，电子管与晶体管在结构与工作方式上都存在着较大的区别，这就导致了两者在应用范围上的不同，显然适应性更加广泛的晶体管将逐渐取代传统电子管是必然的发展方向，但在某些特定的设计或者场合中仍需使用电子管。
2016-01-26 16:52:08
电路仿真正常，可是实际工作输出总是0vb点总是有负0.5v电压。请高手帮助分析下
2018-08-18 11:58:22
高压发生器的方法，又具有功率晶体管GP通态电压低、耐压高和电流容量大的优点，为电压控制通断的自关断器件，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于数十kHz频率范围内，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
个寄生的晶体管，当IC大到一定程度，寄生晶体管导通，栅极失去控制作用。此时，漏电流增大，造成功耗急剧增加，器件损坏。安全工作区随着开关速度增加将减小。 （6）栅极偏置电压与电阻
2009-05-12 20:44:23
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
`一、场效应晶体管选择的重要性随着电子产品更新换代的速度，我们对电子产品性能的要求也越来越高，在一些电子产品的电路设计与研发中，不光是开关电源电路中，还有在便携式电子产品的电路中都会用到场效应晶体管
2019-04-02 11:32:36
时，RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时，电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际
2013-05-27 15:23:44
工业企业能源计量工作确认规范 DB37/ 810－2007范围本标准规定了工业企业能源计量工作确认规范的术语和定义、确认要求、确认管理、确认活动、考评员资格。本标准适用于
2008-11-06 16:36:19
17 本文主要阐述了磁敏晶体管的工作原理及磁敏晶体管的特性。
2019-12-20 11:16:25
6592 
代码版本控制对于我们嵌入式软件开发岗是一项基础、必备的技能，需要熟练掌握。实际工作中常用的版本控制系统有：Git（分布式版本控制系统）与SVN（集中式版本控制系统）。 本次分享Git在实际工作中
2020-09-14 18:12:282257 代码版本控制对于我们嵌入式软件开发岗是一项基础、必备的技能，需要熟练掌握。实际工作中常用的版本控制系统有：Git（分布式版本控制系统）与SVN（集中式版本控制系统）。
2020-09-21 09:54:232869 
使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。 为防止这种情况，需要检查实际使用状态，并确认在使用上是否有问题。这里说明一下具体的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 
从本章开始进入新篇章--“实际工作中的适用性确认”。在电路设计中，通常会基于电路要求，参考技术规格书的规格来选择适合的晶体管。然而，实际试制后，非常有可能发生从电路图无法预测的瞬态现象、超乎预期的波动、余量不足等问题。
2023-02-10 09:41:03167 
在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本篇介绍右侧流程图的②确认在绝对最大额定值范围内。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本篇将介绍右侧流程图的④确认在使用环境温度下降额的SOA范围内。
2023-02-10 09:41:04217 在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将介绍右侧流程图的“⑥确认平均功耗在额定功率范围内”。由于这一系列是以开关工作为前提介绍的，因此在第⑤步选择的是“连续脉冲”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。 本文将对虽然右侧流程图中没有提及，但在下面项目中有的第⑦“确认芯片温度”进行说明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介绍了判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将进行最后的汇总。 前面按照右侧流程图及下列各项确认了所选晶体管在实工作条件下是否适用，以及是否是在确保充分的可靠性和安全的条件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 今天，本文就和大家唠一唠IGBT的安全工作区，英文全称safe operating area，简称SOA。顾名思义，也就是说只要使用的条件（电压、电流、结温等）不
超出SOA圈定的边界，IGBT
2023-02-24 09:35:205 3. 是否在SOA范围内？ 确认安全工作区域 （SOA *1） 1 安全工作区域（SOA）表示晶体管可安全工作的区域。 不过，SOA只是关于1脉冲的数据，在脉冲反复混入时，需要所有脉冲都进入SOA
2023-03-23 16:55:09739 
了解MOSFET安全工作区域SOA如果您想知道或担心您的MOSFET在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率，那么您应该查看器件的SOA数据。在这篇文章中，我们将全面讨论MOSFET数据表
2022-05-11 09:59:021108 
MOSFET安全工作区域SOA是啥?了解MOSFET安全工作区域SOA如果您想知道或担心您的MOSFET在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率，那么您应该查看器件的SOA数据。在这
2023-05-09 09:47:03860
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