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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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中科微电ZK200G120P：SGT工艺赋能的功率MOS管标杆

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ZK100G325P深度应用解析：SGT工艺赋能的中低压MOS管大功率场景革新

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MOT1514J N 沟道 MOSFET 技术解析

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一、产品概述MOT3712J是仁懋电子（MOT）推出的P沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，具备高功率与电流处理能力，聚焦PW...

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MBR10200A 肖特基势垒整流器技术解析

一、产品概述MBR10200A是仁懋电子（MOT）推出的10A肖特基势垒整流器，具备低正向压降、高浪涌电流容量等技术特性，适配TO-220、TO-220...

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MOT3910J 双 N 沟道增强型 MOSFET 技术解析

一、产品定位与结构MOT3910J是仁懋电子（MOT）推出的双N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3封装形式，将两只N沟道MOSFET集成于单颗芯...

2025-10-24 标签：MOSFET MOS 仁懋电子 214 0

MOT2165J N 沟道 MOSFET 技术解析

MOT2165J是仁懋电子（MOT）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3封装形式，聚焦于功率开关控制、笔记本核心供电等场景，以低导通损...

2025-10-24 标签：MOSFET MOS 仁懋电子 232 0

中科微电ZK60N20DG场效应管：60V/20A的高效能半导体解决方案

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MOT2045D 20A 肖特基势垒整流器技术解析：高效整流的可靠之选

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MOT8576T N 沟道 MOSFET 技术解析：大功率场景的性能标杆

在大功率电力电子系统中，MOSFET的电流承载能力、导通损耗与热管理能力直接决定系统的可靠性与能效。本文聚焦仁懋电子（MOT）的MOT8576T型号，从...

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MOT3150J N 沟道 MOSFET 技术解析：参数、特性与应用场景

在中低压功率转换与高频开关领域，N沟道MOSFET的性能直接决定系统能效与可靠性。本文针对仁懋电子（MOT）的MOT3150J型号，从电气参数、特性优势...

2025-10-23 标签：MOSFET MOS 仁懋电子 320 0

MOT4913J N+N 增强型 MOSFET 技术解析：参数、特性与应用场景

在功率半导体器件领域，N+N增强型MOSFET凭借多单元集成的架构，在电机驱动、电动设备控制等场景中展现出独特优势。本文将针对仁懋电子（MOT）的MOT...

2025-10-23 标签：MOSFET MOS 仁懋电子 284 0

MOT (仁懋) MOT4160G 技术全解析：41.6kΩ 精密网络电阻的工业级信号处理方案

在工业自动化控制、精密仪器仪表等对电阻精度与稳定性要求严苛的场景中，网络电阻的阻值一致性、温度特性及抗干扰能力直接决定电路信号处理的准确性。MOT(仁懋...

2025-10-22 标签：电阻 MOS 仁懋电子 226 0

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MOT (仁懋) MOT4170J 技术全解析：精密薄膜网络电阻的工业级信号处理方案

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MOT (仁懋) MOT4733J 技术全解析：高精度网络电阻的工业级应用方案

在工业控制、精密仪器等对电阻精度与稳定性要求严苛的场景中，网络电阻的一致性、功率承载及环境适应性直接影响电路性能。MOT(仁懋)推出的MOT4733J隔...

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ZK30N100G：Trench工艺加持的100A低压MOS管，重构低压功率控制新生态

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多颗MOS并联时热分布不均，导致个别器件过热失效的原因与对策

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MOT (仁懋) MOT1145HD技术全解析

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