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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| SD36C | Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=35PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| SI2301S | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):45pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) |
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| S6MC | VR=600V IF=6A VF=1.2V IR=10uA |
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| S10MC | VR=1000V IF=10A VF=1.2V IR=10uA |
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| AO3401 | 30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V |
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| B240A | VR=40V IF=2A VF=0.55V IR=500uA |
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| TL431 | 电压基准 SOT-23 2.5V~36V 50ppm/℃ -25℃~+85℃ |
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| S3MC | VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA |
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| ES2DB | 快/超快恢复二极管 电压:200V 电流:2A SMB(DO-214AA) |
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| US2MB | VR=1000V IF=2A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS |
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| 1N4007G | 整流二极管 电压:1KV 电流:1A A-405 |
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| 78L12 | PD=0.6W Io=100mA Vo=12V |
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| ST34F | 肖特基二极管 VR=40V IF=3A VF=0.45V IR=10uA |
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| SD03 | Uni PD=350W VRWM=3.3V VBR=4V VC=10.5V IPP=20A IR=40uA CJ=450PF |
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| SD15C | Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF |
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| DSK115 | 肖特基二极管 VR=150V IF=1A VF=0.85V IR=200uA |
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| SK104C | VR=40V IF=10A VF=0.65V IR=1000uA |
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| SK1010C | VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA |
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| SS14F | 肖特基二极管 VR=40V IF=1A VF=0.55V IR=500uA |
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| SS110 | 肖特基二极管 VR=100V IF=1A VF=0.85V IR=100UA |
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| SS26B | 肖特基二极管 VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA |
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| SS36F | 肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA |
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| SS34F | 肖特基二极管 VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA |
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| SS310B | 肖特基二极管 电压:100V 电流:3A SMB(DO-214AA) |
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| SS33 | 肖特基二极管 VR=30V IF=3A VF=0.55V IR=500uA |
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| SS54C | 肖特基二极管 电压:40V 电流:5A SMC(DO-214AB) |
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| SS5200C | VR=200V IF=5A VF=0.95V IR=200uA |
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| ESD5Z24 | Uni PD=120W VRWM=24V VBR=26.7V VC=35V IPP=1A IR=5uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| ESD5Z3V3 | Uni PD=158W VRWM=3.3V VBR=5V VC=14.1V IPP=11.2A IR=0.9uA CJ=105PF |
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| ESD5Z3.3C | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4V VC=12V IPP=7A IR=1uA CJ=12PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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