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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| AO3415 | P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A |
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| P4SMA6.8CA | VRWM=5.8V VBR(Min)=6.45V VC=10.5V@Ipp=39A PD=400W SMA |
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| MBR30100CT | 肖特基二极管 VR=100V IF=30A VF=0.85V IR=1000uA |
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| GBLC15C | Bi PD=300W VRWM=15V VBR=16.7V VC=31.8V IPP=5A IR=1uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| GBLC08C | Bi PD=300W VRWM=8V VBR=8.5V VC=18.5V IPP=8A IR=1uA CJ=0.8PF |
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| SS2150 | 肖特基二极管 VR=150V IF=2A VF=0.85V IR=200uA |
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| MUR4100 | 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=4A VF=1.85V IR=5uA trr=50nS |
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| SD103AWT | 开关二极管(小信号) VR=40V IF=350mA VF=0.6V IR=1000uA |
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| SD15 | Uni PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=120PF |
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| ESD5Z12V | Uni PD=174W VRWM=12V VBR=14.1V VC=29V IPP=6A IR=0.02uA CJ=35PF |
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| 1SMA4746A | PD=1.0W,IF=10A,VZ=18V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 |
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| ES3DC | 整流二极管 电压:600V 电流:3A SMC(DO-214AB) |
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| SD05 | Uni PD=350W VRWM=5V VBR=6V VC=18V IPP=17A IR=10uA CJ=300PF |
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| SK34C | 肖特基二极管 Single VR=28V IF=3A IR=0.5mA CJ=450pF SMC |
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| SI2302S | MOSFETs N-沟道 20V 2.3A SOT-23 |
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| KBP310 | 桥式整流器/整流桥 1KV 3A KBP |
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| ESD0524P | Uni PD=50W VRWM=5V VBR=6V VC=10V IPP=1A IR=1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| KBP210 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=2.0A,IFSM=60A,VF=1.0V,IR=5uA |
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| KBU810 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=8.0A,IFSM=200A,VF=1.0V,IR=10uA |
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| KBPC610 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=6.0A,IFSM=125A,VF=1.0V,IR=10uA |
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| DSR1M | 整流二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=10uA |
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| MBR20200CT | 肖特基二极管 200V 20A 950mV@10A TO220AB |
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| RS2M | VR=1000V IF=2A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS |
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| SMCJ18A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=18V,VBR=20.0~22.1V,VC=29.2V |
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| SMBJ14A | PD=600W,VRM=14V,VBR=15.6~17.2V,VC=23.2V |
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| ST2045 | 肖特基二极管 VR=45V IF=20A VF=0.5V IR=300uA |
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| B5817WS-SJ | 肖特基二极管 |
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| SS5150C | 肖特基二极管 电压:150V 电流:5A SMC(DO-214AB) |
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| MBRF20150CT | 肖特基二极管 VR=150V IF=20A VF=0.95V IR=200uA |
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| MBRF10200CT | 肖特基二极管 VR=200V IF=10A VF=1V IR=100uA |
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