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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| RS1G | VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS |
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| MBRF20100CT | 肖特基二极管 VR=100V IF=20A VF=0.85V IR=1000uA |
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| SS1200 | 肖特基二极管 电压:200V 电流:1A SMA(DO-214AC) |
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| S5MC | VR=1000V IF=5A VF=1.1V IR=5uA |
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| US1MF | 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS |
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| LESD3Z5.0C | Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| SM712 | PD=300W VRWM=12V&7V IPP=15A CJ=75PF 双向 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| GBLC12C | Bi PD=300W VRWM=12V VBR=13.3V VC=28.6V IPP=6A IR=1uA CJ=0.8PF |
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| RS3MB | VR=1000V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS |
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| SI2305 | P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A |
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| S3MB | 整流二极管 1KV 3A SMB(DO-214AA) |
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| ES2JB | 快/超快恢复二极管 电压:600V 电流:2A SMB(DO-214AA) |
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| SS38 | 肖特基二极管 VR=80V IF=3A VF=0.85V IR=500uA |
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| ESD5Z5V0 | Uni PD=174W VRWM=5V VBR=6.2V VC=18.6V IPP=9.4A IR=0.08uA CJ=80PF |
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| KBP206 | 桥式整流器/整流桥 VRM=600V,IO=2.0A,IFSM=60A,VF=1.0V,IR=5uA |
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| SL54F | 肖特基二极管 VR=40V IF=5A VF=0.45V IR=1000uA |
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| SK54 |
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| RL207 | VR=1000V IF=2A 20pF |
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| LM4007 |
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| 1N5408 | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.2V@3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
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| 1N5399 | VR=1000V IF=1.5A 20pF |
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| MBRF30100CT | 肖特基二极管 VR=100V IF=30A VF=0.85V IR=1000uA |
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| SS16F | 肖特基二极管 VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=500uA |
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| ST310F | VR=100V IF=3A VF=0.6V IR=0.1mA |
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| MMSZ5230B | PD=0.5W,VF=0.9V,VZ=4.7V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 |
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| BSS138 | MOSFETs N-沟道 50V 500mA SOT-23 |
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| 79L08 | PD=0.6W Io=100mA Vo=-8V |
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| SM15C | Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF |
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| SD08C | Bi PD=350W VRWM=8V VBR=8.5V VC=24V IPP=15A IR=2uA CJ=120PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| SD12 | Uni PD=350W VRWM=12V VBR=13.3V VC=32V IPP=11A IR=1uA CJ=130PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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