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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| ES3DB | 快/超快恢复二极管 电压:200V 电流:3A SMB(DO-214AA) |
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| ES3JC | VR=600V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=35nS |
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| SF56G | 快/超快恢复二极管 VR=400V IF=5A VF=1.25V IR=10uA trr=35nS |
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| SK106C | VR=60V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA |
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| SS510C | VR=100V IF=5A VF=0.85V IR=500uA |
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| US2G | VR=400V IF=2A VF=1.4V IR=5uA trr=50nS |
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| DB307S | 桥式整流器/整流桥 1kV 3A 1.1V@3A DBS |
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| KBU2510 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1KV,IO=25A,IFSM=400A,VF=1.0V,IR=10uA |
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| KBPC5010 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=50A,IFSM=400A,VF=1.1V,IR=10uA |
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| KBPC3510 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=35A,IFSM=400A,VF=1.1V,IR=10uA |
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| KBPC1010 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=10A,IFSM=150A,VF=1.1V,IR=10uA |
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| DL4007 | 整流二极管 1KV 1A DO213AB |
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| 1N4004 | 整流二极管 400V 1A DO-41 |
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| MBRF10100CT | 肖特基二极管 VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA |
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| HER505 | HER505 |
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| SS3200B | VR=200V IF=3A VF=0.95V IR=200uA |
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| SOD4001 | 整流二极管 VR=50V IF=1A VF=1.1V IR=5uA |
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| ESD5B5CM | ESD5B5CM |
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| SMF43CA | 辰达行 SOD-123FL 200W 43V |
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| SMF43A | 辰达行 SOD-123FL 200W 43V |
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| SMF58A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=58V,VBR=64.4~71.2V,VC=93.6V |
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| SMF14A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=14V,VBR=15.8~17.2V,VC=23.2V |
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| SOD4004 | 整流二极管 VR=400V IF=1A VF=1.1V IR=5uA |
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| SS56F | 肖特基二极管 VR=60V IF=5A VF=0.70V IR=500uA |
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| SM24C | Bi PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| SS210B | 肖特基二极管 电压:100V 电流:2A SMB(DO-214AA) |
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| MMBZ18VAL | Bi PD=40W VRWM=14.5V VBR=18V VC=25V IPP=1.6A IR=0.05uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| ESD0504TL | Uni PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=12V IPP=1A IR=1uA CJ=0.6PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
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| SOD1F3 F3 | 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向电流(Ir):10μA@200V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度:-50℃~+150℃@(Tj) |
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| S3MBF | 整流二极管 VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA |
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