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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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深圳辰达行电子有限公司成立于2008年，公司总部位于广东深圳，是一家专业研发生产半导体分立器件的国家高新技术企业。
公司通过不断努力，高品质的“MDD”品牌得到广大客户的信赖与支持，公司投资建设封装厂，工厂占地24亩，建筑面积15000平方，现有员工300余人，年产销二极管、整流桥总量约70亿只。
工厂引进全套国外先进设备和科学管理体系，拥有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多种封装形式的二极管/整流桥生产线；品种规格齐全，有普通整流、快速恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、以及双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等各种系列的二极管/整流桥。
公司通过了ISO9001:2008质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证，产品通过美国UL认证，并符合欧盟RoHS、REACH环保要求，可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务，并可以提供满足客户需求的无卤素产品。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控类、汽车电子、新能源等领域并远销欧美及东南亚地区，在客户中享有良好的口碑。
展望未来，辰达行将常怀感恩的心，竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。力争为中国半导体事业做出奉献！
高频整流广泛应用于现代开关电源、逆变器、RF电路以及通信设备中。与低频整流不同，高频整流要求二极管具备更高的开关速度、更低的反向恢复时间和更低的导通损耗...
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在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选...
在功率器件的参数表中，我们常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指标，用于描述器件在雪...
MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基、快恢复、超快恢复以及SiC二极管）是现代电源系统中不可或缺的器件，广泛应用于服务器电源、适配器、光伏逆变器、车...
在现代电源系统中，MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管）因其低正向压降、快速反向恢复特性，广泛应用于适配器、开关...
MDD快恢复整流器失效模式详解：过热、浪涌与封装问题一网打尽
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在现代电源设计中，开关电源（SMPS）因其体积小、效率高、适应性强，广泛应用于通信设备、计算机系统、工业控制、电动工具及新能源汽车等领域。而实现高频、高...
MDD肖特基整流桥因其低正向压降、高速开关特性和良好的导通能力，广泛应用于电源适配器、LED驱动、DC-DC转换器、车载电源等中低压、高频整流场合。然而...
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MDD辰达推出大电流低内阻MOS，助力电机驱动管理系统新突破
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辰达半导体荣获 “2024 年度华强电子网优秀国产品牌企业”
近日，深圳辰达半导体有限公司在激烈的市场竞争中脱颖而出，荣获 “2024 年度华强电子网优秀国产品牌企业” ，这一荣誉不仅是对我们过往成绩的高度认可...
2025-03-14 标签：MDD 775 0
。低代码平台凭借其强大的功能和灵活的应用场景，正在成为企业数字化转型的重要推手。通过简化开发流程、提升开发效率，低代码平台将助力企业快速响应市场变化，实...
近日，安徽辰达半导体有限公司与母公司深圳辰达半导体有限公司（以下合并简称“MDD辰达半导体”）共同接受了全球领先认证机构德国TÜV莱茵的IATF 169...
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作为全球范围内规模首屈一指、影响力极为强大的电子元器件盛会，德国慕尼黑电子展（Electronica Munich），向来备受电子行业精英们的高度关...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| MDD15N10D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
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|
|
| DFR1J F1J | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns; |
获取价格
|
|
| DSR0.3K S03K | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA; |
获取价格
|
|
| SOD1H8 U8 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):75ns; |
获取价格
|
|
| BZT52C7V5-WC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):7.5V;稳压值(范围):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
获取价格
|
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