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onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶体管的特性与应用解析
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对电路设计和系统性能有着至关重要的影响。今天,我们来详细探讨一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳...
基于ONsemi TF412 N沟道JFET数据手册的技术解析与应用指南
onsemi TF412 N沟道JFET专为低频通用放大器和阻抗变换器应用而设计。Onsemi TF412的最大工作电压为30V,最大工作电流为10mA...
Texas Instruments JFE2140 N沟道JFET数据手册
Texas Instruments JFE2140 N沟道 JFET是Burr-Brown™ 匹配对分立式JFET,采用TI的高性能模拟双极工艺制造而成...
JFE2140EVM评估模块技术解析:超低噪声JFET前置放大器的设计与应用
Texas Instruments JFE2140EVM JFET评估模块 (EVM) 设计用于对JFE2140器件进行基本功能评估。JFE2140是一...
安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖
11月25日,安森美(onsemi)采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能...
随着半导体技术和电力电子技术的进步,固态断路器 (SSCB) 的性能持续提升。新型半导体材料(如碳化硅)提供了更高的开关速度、更低的导通损耗和更高的耐压...
安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技术优势
安森美(onsemi)的UG4SC075005L8S在AI PSU设计中非常受欢迎,有助于实现下一代20 kW系统,以创新的Combo架构、高能效、高可...
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型Coo...
近日,全球领先的半导体公司安森美(onsemi)宣布了一项重大收购计划,已与Qorvo达成协议,将以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(Si...
近日,安森美半导体公司宣布了一项重要的收购计划,以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司Unit...
Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断...
mosfet工作原理 jfet和mosfet的区别 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种现代电子器件,常用于电子电路中的开关和放大器。它...
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