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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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工业领域的电力应用通常基于强大的电动机，用于连续运行的风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱。工业领域最常见的配置是三相电动机，由适当的基于逆变器的...
IGBT的三种安全工作区(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深...
纳芯微单通道隔离式栅极驱动器NSi66x1A和NSi6601M发布
纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规(满足AEC...
通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模块，这些器件的结构和工作机理都是以IGBT芯片为基础，一代IGBT芯片技术决定了一代IGBT...
电机和逆变器的使用在工业自动化、机器人、电动汽车、太阳能、白色家电和电动工具等应用中持续增长。伴随着这种增长，对提高效率、降低成本、缩小封装和简化整体设...
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片...
电力电子器件(Power Electronic Device)，又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电...
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶...
随着快充市场的飞速发展和竞争加剧，对整体方案降本的要求更加严苛，为了更好地支持客户提升竞争力与优化性价比，晶丰明源推出了契合市场需求、集成具有IGBT结...
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度...
风力发电的逆变设备，可以将蓄电池中的DC12V直流电转换为和市电相同AC220V交流电。逆变器主要是由MOS场效应管与电源变压器为核心，通过模拟电路...
IGBT的损耗功率随着开关频率的增高而增大，大功率运行时，损耗功率易急剧增加发热，由于IGBT的结温不超过125℃，基于IGBT的功率开关电路不能长期...
变频器在设计上不断的推陈出新，为了提高功率密度并降低成本，工程师更是绞尽脑汁。IGBT（绝缘栅型双极性晶体管）在变频器里属于关键器件，其选型和损耗直接关...
2022-06-29 标签：IGBT 1.7万 0
由于电驱动系统噪音频谱宽度较大，一般采用劈尖状消音片。其可有效散射噪音同时消音效果较好，但成本较高。也可以采用平板消音片。
一般，我们是通过阅读器件厂商提供的datasheet来了解一个器件的参数特性，但是datasheet中所描述的参数是在特定的外部参数条件测试得来的，因此...
在驱动电路电压轨处于正确值之前，不应由 PWM 信号主动驱动 IGBT/MOSFET。然而，当栅极驱动 DC/DC 上电或断电时，即使 PWM 信号处于...
BC-IGBT 由结构顶部和底部的栅极组成。东京大学的研究员 Takuya Saraya 在论文中说：“IGBT 的一个主要缺点是其开关频率相对较低，因...
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块（即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块）。
通用变频器应用在大惯量负载时，短时间内的减速会使母线电压升高，由于成本原因通用变频器没有主动前端无法将能量回馈电网，理论上如果电容容量够大，可以先存储能...
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