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一文解析电驱动系统NVH

要长高 来源: 驱动视界 作者: 驱动视界 2022-06-23 15:20 次阅读

NVH为声音、振动、声振粗糙度的英文缩写。对于电动乘用车而言,其主要体现在高频电磁噪音问题。电动车的总噪音水平,普遍低于燃油车。但其频谱更集中,且主要处于人耳的敏感范围,以至于更容易被乘客感受与抱怨。这两类车型噪音的基本关系,如下两图。

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图1 不同转速噪音水平的差异

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图2 电驱动噪音频率与人耳敏感区关系

其因一般有以下6点:

1、无遮蔽效应:电动车普遍没有发动机与涡轮增压器等,高噪音宽频带的声源,使电磁噪音缺乏遮蔽,而更为凸显;

2、更强的扭矩冲击。电机扭矩响应速度,显著高于燃油车。其瞬时扭矩冲击,将对传动系统的强度与寿命提出更高要求,并加剧抖动和高频振动等NVH问题;

3、以电磁噪音为主。其主要为电机本体的电磁谐波以及控制器的IGBT开关PWM谐波等引起。主要噪音频率较高,又与人耳的敏感范围重合;

4、转速范围更宽。与乘用车常用的5~9档变速箱不同,电动车一般只有1~2档。电机的转速调节范围更宽,意味着振动激励和共振风险的范围更广,使对壳体结构动刚度改善与避开的努力,变得避无所避;

5、轻量化需求强烈。由于电池容量有限,电动车对减重的需求非常强烈。过于轻量的结构也带来刚度的减少,从而加剧共振和噪音放大的风险;

6、高度集成化带来附加噪音。集成化设计有利于减少重量降低成本,但可能引发部分零部件,被振动激励再次激发,并产生更多的噪音等问题。

下图为日产Leaf 电驱动系统,在集成设计后,新增了一组1700Hz左右的共振噪音带。

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图3 日产Leaf电驱动集成先后噪音变化

有需求的地方,就有努力的方向。为实现良好的NVH性能,各大主机厂及电驱动零部件公司,普遍采用下图所示的V形研发流程。

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图4 电驱动NVH性能开发V形流程图

在以上流程中,一般根据现有及竞品车型的NVH性能指标,确定下一代车型的总体NVH指标,并逐步拆分传递到电驱动系统中。而后对竞品及现有产品,进行整车与台架测试,积累并了解实际性能。如有可能,对竞品进行测绘与逆向仿真分析,试图了解更细节的设计理念、性能指标、NVH方面的优缺点等。

而后定义新产品的总体结构设计、电机电磁设计、减速机结构与NVH设计、控制器结构设计等方案与性能,并逐步进行试验对标与验证与及时的预判、发现、改良、优化NVH问题。直至满足整车NVH要求或合理成本下的最佳值。

这期间可能会用到D-FEMA、P-FEMA、A3、8D等方法与工具,从而帮助定位问题,改善产品性能与质量。

遇到NVH问题时,由于结构的复杂性及不同部件间的耦合关系,一般无法简单直接的定位问题所在。也可尝试黑白盒测试法,进行筛选和定位。如下图。

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图5 噪音分析黑白盒方法

电驱动的NVH问题的预判、重现与改善,主要可从噪音源、传播路径、接受者等三部分进行。

一般重点对噪音源进行优化。其主要受到电机定子电磁脉动谐波以及齿轮啮合传递误差振动等,传递给对壳体产生辐射噪音。其问题来源如下图所示。

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图6 振动激励与噪音关系

传播路径优化,一般从车架和悬置的刚度与阻尼的动力特性设计及匹配方面实现。由于电驱动系统高频振动分量,高于常规燃油车,其对悬置1000Hz及以上的动态特性的仿真与实验需求更高,且大部分同类实验设备,无法准确测量如此高频的性能,可能会对进一步NVH性能优化,产生门槛。

如无法明显改善悬置与车架,也可通过对电驱动表面,包裹声学包进行优化。但带来较高的空间、重量与成本等代价,且有时降噪效果有限。

对接受者端的NVH优化,一般为整车声学设计以及主动消音等。

详细的正向NVH性能开发时,一般采用下图流程进行。

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图7 正向NVH开发流程

一般根据载荷工况,计算齿轮啮合引起的动态激励,并与传动系统耦合,得到壳体表面声辐射。同时对考虑控制策略的电机定转子,求解气隙磁场的谐波分量,并据此计算定子振动与噪音。将两者叠加得到总的壳体动态特性,如动刚度及噪音Map图等。

根据仿真和实测的主要噪音阶次,或许可以反向定位主要噪音位置与可能的原因,并加以调整。

如采用提高制造与装配精度、定转子的斜极与斜槽、定转子表面开槽、定子线圈绕线级槽配合、齿轮模态优化、齿面接触斑点与传递误差优化、PWM控制算法优化、主动减震与主动谐波注入、壳体加强筋优化等方法。

逆向NVH性能开发,一般从实物扫描三维模型,并多次样机试验确定最终设计。

对于减速机,主要为齿轮啮合的不平稳脉动,对轴承位的载荷,则需仿真分析。如下两图。

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图8 轴承载荷仿真结果

关于轴承载荷的实验获取。由于减速机形状复杂,局部尺寸较小,不易通过粘贴应变片的方式得到。一般通过加速度传感器和麦克风等,进行侧面了解。

如有可能,推荐采用光弹性方法进行实验。一般借助偏振光及透明壳体模型,并合理加载,再通过观察彩色干涉光纹的分布,间接的等效得到,壳体的传力路径与应力集中程度。

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图9 轴承位动态啮合的载荷数据

下图为转动系统的机械振动,对轴承载荷的影响关系。

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图10 转子系统振动激励影响示意

上图中,轴承刚度与阻尼数据,为关键输入参数。其一般从轴承供应商,通过实验测得,不同载荷下的变形曲线中,并换算而来。

为保证齿轮NVH性能,需准确预测齿轮与壳体变形,导致的齿轮啮合错位量,并使错位引起的振动波动尽量平顺,而后对齿面进行合理修形与壳体刚度设计。

当电机反拖充电运行时,齿轮的反齿面将完全受载,其可能加剧齿轮啸叫的风险。但该工况发生概率与影响程度较低,一般可降级使用。

在交变载荷作用下,减速机壳体可能发生共振。一般利用模态分析与扫频振动分析方法,得到不同阶次振动的响应程度,并汇总至下图,可用于拆分噪音源。

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图11 减速机模态Mpa图

下两图为不同设计的齿轮模态阶次,对振动响应的贡献关系。

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图12 减速机齿轮振动响应关系1

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图13 减速机齿轮振动响应关系1

共振引起的NVH问题,一般同时满足以下条件,方较为强烈:

1、某个或某些临近模态阵型与齿轮或电机本体电磁力激励的矢量变化形式接近;

2、模态频率与激励频率,接近至1/4以内;

3、激励作用力拥有足够的能量;

4、激励作用时间足够长,使得振动响应可累计;

5、系统阻尼过小,振动能量无法耗散。

如需优化,则需逐步破坏以上形成条件。

当发现NVH问题时,尽量在产品开发早期阶段予以修正及优化,有利于提高效率降低成本,如下图。

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图14 设计改变与成本的关系

在得到齿轮啮合激励载荷后,可对设计空间内的壳体,进行针对结构强度与模态的拓扑优化分析,梳理传力路径,并为壳体布局与加强筋设计提供参考。

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图15 壳体拓扑优化典型流程

对于内部齿轮也可进行拓扑优化,以寻找合适的轮幅尺寸与模态关系。其基本优化流程如下两图。经拓扑优化后,齿轮模态频率可提升或减重约1/6。

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图16 轮幅模态结果

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图17 轮幅形状拓扑优化过程

当满足齿轮强度设计后,为提高寿命和降低振动噪音,一般需对齿面进行微观修形优化。修形后,需满足以下接触斑点集中在齿面中心附近,载荷分布尽量均匀,最大接触应力尽量降低,齿面边缘应力较小,传递误差减少等要求和目的。下两图为齿面修形前后的接触压力与传递误差结果。

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图18 齿面修形前结果

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图19 齿面修形后结果

以上均为单一转速与载荷下仿真结果,下图为壳体轴承位处,多组转速的振动位移响应的连线,形成的瀑布图。如下两图。

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图20 轴承位振动响应仿真瀑布图

在瀑布图中,穿越坐标圆心的射线,为不同齿轮啮合频率,其垂直于横坐标1000Hz及2000Hz处,存在两组纵向振动响应峰值,一般为壳体共振产生。如出现横向亮线,一般为敲击引起。

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图21 轴承位振动响应实测瀑布图

除了齿轮系统的啮合噪音,电机与减速机连接花键处,也会因为各种制造与装配公差,产生冲击振动噪音。如下图。可通过涂抹润滑脂进行缓解。

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图22 花键精度对噪音的影响

轴承选型中,需根据载荷、转速、空间、成本、设计温度等,适配合适的轴承型号、润滑脂牌号、预紧载荷、装配过盈与间隙等。一般基于ISO281规范,计算基本的轴承寿命。但无法考虑整车随机振动、详细温升、装配预应力(可参考ISO16281规范)等载荷,对寿命的影响。也可以参考SKF、NSK、FAG等知名厂商官网的轴承手册进行计算与选型。

进行壳体设计时,在正反拖工况下,壳体加强筋与传力路径设计,应尽量顺应主要轴承径向载荷的方向。轴承径向载荷分布规律,如下图。

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图23 轴承径向载荷沿圆周分布规律

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上图为稳态过程,下图为瞬态轴承载荷。

图24 轴承载荷的瞬态变化数据

一般采用几个加速度传感器或麦克风,测量电驱动壳体振动噪音数据,可较为全面的了解NVH性能,但缺乏全局视角,不利于快速总体查看噪音分布。可采用下图的声学相机技术,进行观测与定位。

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图25 声学相机测量技术

声学相机为通过一组阵列麦克风,同时测量噪音信号,并借助不同角度信号的相位和量级的差异,结合一定算法进行定向,并融合视频摄相机,动态的将噪音分布的云图,成像至视频图像上。

对于仿真分析,由于电驱动噪音频率在数千至数万Hz,采用有限元方法的结构仿真计算量较大。一般通过基于能量统计法或者边界元方法,求解空间辐射噪音。下图为AVL电驱动系统的空间噪音分布仿真数据云图。

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图26 仿真分析的电驱动辐射噪音分布

以上主要为减速机侧的NVH问题处理方式,下面介绍电机侧。电机侧主要分为电机本体与控制策略方向。其优化思路与方式如下图。

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图27 电机侧NVH提升技术路线

电机侧优化同样可采用源、路径、接受者三个方向进行考虑。一般主要优化精力,集中在对振动源激励的规避与减弱。

可通过对振源的振动模式的拆解,帮助梳理与定位优化方向,如下图。

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径向电磁力优化的主要努力方向。可通过级槽比、定子铜线的跨距比例、定转子的分段斜级角度及段数、转子外圈或定子内圈不对称或开辅助槽等方式综合判断。

需要注意的是,大部分减弱电磁谐波分量的努力,可能带来隔磁桥强度、电磁性能、制造及成本等恶化的代价。

其中级槽比、跨距、分段斜级角度等,可通过手工的理论计算,得到削弱的谐波阶次。

一般可采用参数化建模方式,搭配优化软件进行转矩脉动量、转矩脉动峰值、谐波分量阶次等目标的迭代优化。部分先进厂商可在两周到一个月内,自动筛选数千甚至上万个不同尺寸组合的性能,从而更有效率的选取最佳方案。其对软件、硬件、电磁设计者水平等考验是前所未有的,但效益也是十分诱人的。可能成为正在及未来的,电机电磁方案设计能力建设的主要提升方向。

又由于行业内电机电磁设计者,普遍对产生噪音的电磁谐波控制与优化的了解,相对电磁性能较少,而大部分专业NVH人员,往往只考虑纯机械振为主的动载荷与动态特性的优化。

在电动汽车NVH问题日渐凸显,且极易遭到客户抱怨的今天,可从电磁设计与控制角度优化NVH性能,可能称为电机行业一个薪资与人才争夺的新战场

齿顶切向电磁力,为主要产生扭矩输出的分量。可通过减短定子齿的径向长度及宽度比例予以优化。但会侵占铜线安装空间,不利于电磁性能的输出。

不平衡机械力,一般为装配及制造公差引起。可通过改善结构与精度及动平衡角度优化。由于转子冲片与磁钢装配后,可能在装配及离心力内应力作用下,形成内应力及局部尺寸的重新分布。

同时,根据塑性金属材料的包申格效应,其加载并卸载后的屈服强度,将略有提升。无论从充分利用材料强度性能,还是有利于保证动平衡精度角度,建议动平衡前,先将转子快速运行到最高工作转速附近,反复加速减速1-3次,而后在低速下完成动平衡矫正。

不平衡磁拉力,一般为机械装配偏心引起,可通过改善制造公差及装配导向定位等方式减弱。该载荷也成为轴承寿命计算时,需要考虑的部分。

磁致伸缩为变化磁场中,磁化方向改变引起。由于转子内磁场相对稳定,其主要发生在定子内部。电机噪音优化,可从增加电感开始。方法为减少级对数、提高Id及Iq、减少槽口宽度、增加匝数等。如下图。

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图29 初级电磁优化方式

以日产Leaf为例,其在2013款电机中,对转子外圈进行了开槽处理,可显著减少主要的电磁噪音。但该方法可能会加大其他原较弱谐波的能量的电磁谐波振动力,需权衡利弊。如下图。

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图30 日产Leaf的转子辅助槽优化电磁噪音1

依然以Leaf为例,可以通过优化磁钢间的隔磁槽的布局与形状,阻隔高频谐波通道,以减弱特定阶次高量级谐波噪音。如下图。

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图31 日产Leaf的转子隔磁桥优化电磁噪音

前文介绍过,转子外圈及或定子内圈开辅助槽,可改善气隙磁场分布。由于电磁噪音以高频为主,且主要集中在定转子表面,则对其浅表面形状进行改善,可进行优化。如下图。

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图32 日产Leaf的转子辅助槽优化电磁噪音2

辅助槽设计可改善定转子气隙磁场及电磁力分布,使其更接近正弦波,且关键谐波噪音的量级更低。还有一种方式为,对转子磁级间的角度做不对称处理。如下图通用Blot的电动机转子设计。其也是现今少数配备碳化硅控制器的量产电驱动产品。

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图33 通用Blot的转子不对称磁级优化电磁噪音

以上方法主要从转子设计方面进行努力,也可通过对定子齿槽的不对称处理,产生类似的效果。业内较为成功的是下图通用的大小槽以及丰田普锐斯第四代的定子齿端部,设计多组径向S形开槽方式。

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图34 定子槽口不对称设计优化电磁噪音

从成本角度,对转子形状与布局的优化,可在不调整定子设计的基础上,演变出多种不同方案,并适合形成产品谱系,还可充分借用定子冲片。而定子开槽一般只能适用少数转子,则模具成本略高,但电磁谐波噪音可优化的更彻底。

上文介绍过强烈共振的5个条件。下图为电机2阶椭圆形式电磁力激励与定子2.0模态阵型的耦合共振现象示意。

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图35 电磁共振现象概述

由于定子硅钢片及铜线与绝缘材料的刚度特性较为复杂,一般需通过多次自由模态实验方式,手工校准仿真的材料属性。如采用正交各向异性弹性模量以及定子与机壳过盈配合出,采用较小的接触刚度等,以改善仿真精度。还可通过仿真软件的参数化优化功能,自动筛选合适的材料属性,并可24小时连续计算。从而大大提高了,寻找适合实验的弹性模量的筛选效率与精度。

经以上方法校准后,自由模态仿真的前几阶主要模态,如呼吸0阶、2.0、2.1、3.0、3.1、4.0、4.1、5.0、5.1等阵型的Mac值,一般可做到与实验0.9及以上的拟合度,同时各阶频率差异1%左右。

对于电机定子模态而言,由于电磁力的径向分量形式与频率,一般与以上0阶主要模态较为接近,为NVH优化的重点方向。但硅钢片弹性模量,为铝壳的2.5倍左右,则对壳体设置加强筋的努力,性价比较低。而强化定子颚部,虽然可提升动刚度,但损失铜线安装空间,降低电磁性能,需要权衡利弊。一般从开辅助槽和斜级等方式,控制引起噪音的电磁谐波。

以上为电机本体侧的优化方法,下面介绍控制器侧。

控制器主要为IGBT等高频部件开关引起的电磁谐波,对外部直接辐射噪音以及输出带有该谐波电流至电机本体,产生附加的电磁噪音两类。

控制侧主要优化方向,为合理控制IGBT的PWM斩波方式与策略,并搭配硬件滤波降噪等方式进行减弱。PWM谐波噪音优化流程如下图。

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图36 PWM谐波噪音优化流程

PWM斩波噪音在瀑布图上的分布,与电机或减速机啸叫噪音的过零点射线不同,其一般为多组纵向伞形分布,如下图。

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图37 PWM谐波分布形式

上图中8000Hz为IGBT开关频率,其左右对称的多组放射线,为其不同阶次谐波。如某些谐波的频率较低,可能与电机/减速机谐波产生重叠,则会加剧电驱动的辐射噪音。加大开关频率,是简单直接的方法,但会增加损耗影响峰值功率输出以及控制难度级成本等。

不同IGBT开关频率下,各项损耗的占比关系,如下图。

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图38 不同斩波频率下损耗占比关系

可采用不同的PWM控制策略进行优化。如采用随机或不对称PWM方法等,可从控制侧优化开关噪音。

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图39 不同控制策略下PWM谐波分量的差异

另外,还可以采用主动阻尼减震和主动谐波注入方式,控制或者抑制噪音的发展。对于后者,由于无法充分涵盖,不同制造与装配带来电驱动系统中,动态特性及噪音表现的分散性,以至于实际效果缺乏普适性。

电驱动系统NVH性能的台架测试,一般采用下图的半消音室内进行。一般低成本方案为半消音室。如下图中,地面为刚性其他表面填充消音片。高成本方案为6个内表面,全部贴覆消音片。

消音片的厚度,一般为需消除最低频率噪音的1/4波长左右,常用的是0.5~1米。为加强消音效率及频带宽度,降低昂贵的消音棉材料成本,可将消音片的背部与实验室墙面,悬空100mm以上处理。

由于电驱动系统噪音频谱宽度较大,一般采用劈尖状消音片。其可有效散射噪音同时消音效果较好,但成本较高。也可以采用平板消音片。

为减少低频共振,一般在消音室的四角,布置较厚的纤维吸音材料,从而形成低频陷阱。同时,为加强噪音散射,提高空间降噪效果,也可在顶棚悬挂一定的消音片或消音柱等。由于其表面积大于投影面积,则可实现大于1的消音系数。

需特别注意对消音室开门与开孔缝隙的封堵,并采用厚重材料隔音。因为隔音性能主要取决于质量定量,即单位面积的质量。而消音性能,主要取决于吸音材料的密度与尺寸。

其对实验室面积和设备投资的门槛较高。一般采用租赁有能力的实验室测试,以降低成本。

为提升特定频段的消音效果,还可在消音棉表面,贴覆穿孔金属板。其借助每个微小穿孔与背部墙面形成的共振腔,对噪音进行对消滤除。

测试前,需注意NVH台架的连接刚度与动态特性,尽量符合整车装配状态,否则测试结果不可靠。

至此,本文从电驱动系统的总体布局、减速机壳体、轴齿、电机本体、控制策略等方向,宏观阐述了电驱动系统中,正向NVH性能开发的主要流程与方法及注意事项。

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    的头像 赛米控电力电子 发表于 06-07 10:50 373次 阅读

    减速机设备故障分析及解决方案

    轧机主要用于钢制品轧制、加工与精炼的一套钢铁行业机械设备。是将来料为一定厚度以下的钢质板带卷经过几个....
    发表于 06-07 09:27 67次 阅读

    功率半导体:电子装置电能转换与电路控制的核心

    功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性,主要用途包括变 频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除....
    的头像 今日半导体 发表于 06-06 14:42 466次 阅读

    变频器的原理讲解

    变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。变频器主要由整流(交流变....
    发表于 06-06 10:13 75次 阅读

    轧机减速机轴承箱体磨损的解决方法

    某钢厂轧机减速机运行中发现轴承箱体产生震动、高温等情况,企业在大修时拆检发现轧机减速机轴承箱体磨损,....
    发表于 06-06 09:53 14次 阅读

    BOS大功率逆变模块的组成部分及功能特点

    BOS大功率逆变模块主要由IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、开关电源、散热器、电解、吸收电容、驱动板、....
    的头像 白纪龙 发表于 06-01 11:31 4228次 阅读

    东芝全新TLP5702H轻薄型光耦的特性及应用场景

    一般在电路设计中需要在相互隔离的两个电路系统间传输电信号时,很多人第一想到的方案就是使用光耦元件。光....
    的头像 东芝半导体 发表于 06-01 09:27 494次 阅读

    英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ,进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容

    【2022年5月30日,德国慕尼黑讯】Infineon Technologies Bipolar G....
    的头像 21克888 发表于 05-30 16:44 1058次 阅读
    英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ,进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容

    减速机空心轴位置磨损的修复方法

    某污水处理厂有一台生物转盘轴磨损了,该位置与减速机空心轴配合,来电咨询我们减速机空心轴位置磨损能否现....
    发表于 05-28 09:52 20次 阅读

    IGBT国产化率加速攀升 IGBT国产化率有望达38%

          (报告出品方/作者:国金证券,樊志远、刘妍雪、邓小路)
    的头像 君芯科技 发表于 05-27 11:01 992次 阅读

    这是场效应管还是三极管?

    看标注象是IGBT管,不敢确定。
    发表于 05-26 16:12 6783次 阅读
    这是场效应管还是三极管?

    脉冲器件开通关断会引起什么问题

    IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一....
    的头像 科技绿洲 发表于 05-24 09:56 542次 阅读
    脉冲器件开通关断会引起什么问题

    IGBT车用芯片不接单!蔚小理集体裁员!造车新势力还能重回增长之路?

    电子发烧友原创  莫婷婷 章鹰   受到国内疫情多点爆发的影响,汽车供应链、生产和物流多个环节遭受承....
    的头像 Monika观察 发表于 05-23 07:30 2471次 阅读
    IGBT车用芯片不接单!蔚小理集体裁员!造车新势力还能重回增长之路?

    陆芯:YGW15N120T1 YGW15N120T3 YGW15N120F1A替代IKW15N120T2 IKW15N120H3

    上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A....
    的头像 assel 发表于 05-21 09:42 7次 阅读
    陆芯:YGW15N120T1 YGW15N120T3 YGW15N120F1A替代IKW15N120T2 IKW15N120H3

    逆变器效率的影响因素及解决方法

    提高逆变器的转换效率有很大的重要性,比如我们提高1%的转换效率,500KW的逆变器,平均每天算4小时....
    发表于 05-21 09:33 370次 阅读

    虹科光纤加速度传感器系统在高速列车的应用

    相信我们都已经发现高铁给我们的出行带来的便捷。现代高速列车的时速可达300公里。在这样高的速度下,列....
    的头像 广州虹科电子科技有限公司 发表于 05-18 16:07 648次 阅读

    RT-Thread Sensor框架和内置的lis2dh12驱动实现说明

    LIS3DH驱动的实现说明 LIS3DH驱动基于Sensor框架内置的LIS2DH12修改而来,操作步骤参考本节其余内容。 驱动支...
    发表于 05-17 16:18 1768次 阅读
    RT-Thread Sensor框架和内置的lis2dh12驱动实现说明

    汽车级IGBT/SiC模块驱动器系列产品简介

    就在德国纽伦堡PCIM Europe展会的最后一天,Power Integrations(PI)在线....
    的头像 PI电源芯片 发表于 05-17 11:56 810次 阅读

    减速机漏油的治理方法

    随着企业对现场管理的更高要求,尤其是设备“跑、冒、滴、漏”等问题的进一步综合治理,以及双方战略合作共....
    发表于 05-16 15:29 72次 阅读

    中频加热电源逆变器的输出功率、工作频率和保护措施

    为了获取不同的输出功率以控制加热负载的温度,被控制的参数实际上是负载两端的中频电压有效值。该电压有效....
    发表于 05-13 16:40 105次 阅读

    浅谈IGBT国内外市场情况

    安森美半导体2019全年收入的近1/3来自汽车市场,约1/4来自工业市场,约1/5来自通信市场;按照....
    的头像 要长高 发表于 05-12 15:17 1157次 阅读
    浅谈IGBT国内外市场情况

    光隔离探头在第三代半导体双脉冲测试的应用

    日前,基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展,其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的....
    发表于 05-12 14:54 224次 阅读
    光隔离探头在第三代半导体双脉冲测试的应用

    如何使用负压作为IGBT关断

    总结一下,对于米勒电流引起的寄生导通,在0V关断的情况下,可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引....
    的头像 科技绿洲 发表于 05-12 11:57 774次 阅读
    如何使用负压作为IGBT关断

    IGBT模块在电力电子技术中的应用

    IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而....
    的头像 佳恩半导体 发表于 05-12 10:12 498次 阅读

    WD0412栅极半桥驱动器概述及功能说明

    WD0412具有耐压600V,高低边悬浮隔离,输入输出同框,电源输入范围10V-20V,信号输入电平....
    的头像 电源管理芯片开发方案 发表于 05-11 11:13 344次 阅读
    WD0412栅极半桥驱动器概述及功能说明

    PI推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV

    Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的....
    的头像 PI电源芯片 发表于 05-10 19:30 2304次 阅读

    IGBT模块的选择

    要确定主电路拓扑结构,这个和IGBT选型密切相关,额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数,额定...
    发表于 05-10 10:06 722次 阅读

    IGBT作为核心部件的工作原理

    IGBT,英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管,是能量转换与传输的核心器件,动力电子装置的...
    发表于 05-10 09:54 2487次 阅读

    IGBT有源钳位技术

    有源钳位电路的目标是钳住IGBT的集电极电位,使其不要到达太 高的水平,如果关断时产生的电压尖峰太高....
    发表于 05-09 17:39 81次 阅读

    减速机轴承室磨损修复的方法

    减速机是国民经济诸多领域的机械传动装置,我国减速机行业发展历史已有近40年,在国民经济及国防工业的各....
    发表于 05-09 15:12 40次 阅读

    上海贝岭推出基于IGBT器件的汽车点火器

    栅极驱动脉冲触发,栅极电压上升至高电平,VGE=+5V,IGBT导通后,电源电压将对线圈一次侧漏感充....
    的头像 上海贝岭 发表于 05-09 09:50 908次 阅读

    800V电池如何影响车辆设计?

    相较于现有的400V系统,800V系统的推出是一大进步,并且其推出速度比许多人预期的要快。800V系....
    的头像 PI电源芯片 发表于 05-07 16:16 598次 阅读

    比亚迪半导体新研发的IGBT适用于各类光伏逆变器

    该两款IGBT模块采用光伏逆变市场的典型应用拓扑,模块结构紧凑、性能高效,适用于各类光伏逆变器,如光....
    的头像 科技绿洲 发表于 05-06 16:18 1149次 阅读

    SiC MOSFET在汽车车载充电中的应用

      在图腾柱拓扑结构中采用这些高性能SiC MOSFET配置,系统能效达到97% (典型值)。该设计....
    的头像 星星科技指导员 发表于 05-06 15:40 476次 阅读

    碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

    因此,如果要提高驱动效率及延长系统的工作寿命时,迁移到SiC 肖特基显然是有利的。那么我们何以采取更....
    的头像 星星科技指导员 发表于 05-06 14:56 373次 阅读
    碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

    比亚迪半导体推出两款光伏逆变IGBT模块

    在“碳达峰”“碳中和”背景下,太阳能、风能、热能、生物能等可再生能源的规模化应用成为世界能源发展的必....
    的头像 比亚迪半导体 发表于 05-06 12:12 692次 阅读

    公铁两用牵引车技术规格书

    设备满足HXD3C、HXD1和谐型机车出入库的牵引,亦可用于机车整备过程中股道间的短距离牵引调度。
    发表于 05-06 09:14 45次 阅读

    IGBT和IPM及其应用电路

    IGBT及IPM详细介绍及对其应用分析
    发表于 05-05 16:39 226次 阅读

    IGBT双脉冲测试方法详解

    对双脉冲测试的原理、参数解析、注意事项、测试意义等进行详细介绍分析
    发表于 05-05 16:34 230次 阅读

    超低损耗功率器件IGBT提高电路效率

      除此之外,我们在评估板上的效率评估结果,它被模拟为每个应用程序的电路,以便让您知道我们的设备在应....
    的头像 星星科技指导员 发表于 05-05 09:42 454次 阅读
    超低损耗功率器件IGBT提高电路效率

    绝缘门/双极性晶体管介绍与特性

    IGBT 是一种功率开关晶体管,它结合了 mosfet 和 bjt 的优点,用于电源和电机控制电路 绝缘栅极双极性晶体管也简称为 I...
    发表于 04-29 10:55 7226次 阅读
    绝缘门/双极性晶体管介绍与特性

    如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源?

    生活中有各种各样的电源,其中就有一款叫高频开关电源系统,什么是高频开关电源系统?它有什么作用?高频开关电源(也称为开关...
    发表于 04-27 15:30 2360次 阅读
    如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源?

    MOS管和IGBT有什么区别?别傻傻分不清了

    在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相...
    发表于 04-01 11:10 3096次 阅读
    MOS管和IGBT有什么区别?别傻傻分不清了

    IGBT压缩机驱动电路

    各位大佬,有个问题请教下,上桥臂Q1-Q3 3个IGBT为什么会同时击穿短路(规格6A 600V),VBUS 310V 损坏后我的驱动...
    发表于 02-17 17:45 6905次 阅读
    IGBT压缩机驱动电路

    STEVAL-MKI211V1K STMicroelectronics STEVAL MKI211V1K 3D加速度计传感器套件

    oelectronics STEVAL-MKI211V1K 3D加速度计传感器套件是一款基于LIS25BA 3D加速度计传感器的用户友好型评估板。iNemo惯性模块套件包括一个用于LIS25BA加速度计的主机板和一个使其能够搭配STEVAL-MKI109V3主板使用的简单适配器板 (STEVAL-MKIGIBV2)。 LIS25BA 传感器精确焊接在电路板的中心,并提供双面胶,方便用户将该板安装在用于振动分析的设备上。或者,通过PCB每个角上的孔安装该板。 STEVAL-MKIGIBV2可插入标准DIL 24插槽。该3D加速度计传感器套件提供完整的LIS25BA引脚分配,并可随时与VDD电源线路上所需的去耦电容器配合使用。 STEVAL-MKI109V3主板包含一个高性能32位微控制器,用作传感器和PC(运行免费Unico GUI图形用户接口或定制应用的专用软件例程)之间的桥接器。 特性 预安装的LIS25BA加速度计 满量程:±3.85g TDM从接口 低噪声 16位数据输出 2.5mmx3.0mm紧凑...
    发表于 10-21 10:18 195次 阅读
    STEVAL-MKI211V1K STMicroelectronics STEVAL MKI211V1K 3D加速度计传感器套件

    NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

    120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 253次 阅读

    NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

    N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 08:02 468次 阅读

    NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

    120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 284次 阅读

    NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

    B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 245次 阅读

    NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 154次 阅读

    FSBB15CH120DF 运动SPM

    CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 368次 阅读

    FSBB15CH120D 运动SPM

    CH120D是一款先进的MotionSPM®3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 07:02 355次 阅读

    NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

    120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 05:02 251次 阅读

    FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

    一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
    发表于 07-31 04:02 309次 阅读

    NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

    65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 04:02 266次 阅读

    NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

    60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 04:02 216次 阅读

    NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

    60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 03:02 266次 阅读

    NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

    4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 01:02 544次 阅读
    NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

    NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

    1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 01:02 288次 阅读
    NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

    MC33153 单IGBT驱动器

    3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 01:02 2242次 阅读
    MC33153 单IGBT驱动器

    NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

    6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 00:02 894次 阅读
    NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

    FL73282 半桥栅极驱动器

    2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 00:02 792次 阅读

    NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

    3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 22:02 310次 阅读

    NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

    2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 22:02 235次 阅读