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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它既有功率MOSFET易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有...
制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。
2014-10-28 标签:IGBT英飞凌科技FZ1200R45HL3 3823 0
本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输...
本文介绍的是主要要求不可避免地需采用电源并联技术,即功率管并联或电源装置的并联。对于 20kA直流电源,若采用功率管IGBT并联,每个桥臂则至少需15只...
用于点火线圈充电的开关元件已经历了很大演变:从单个机械开关、分电器中的多个断电器触点,到安装在分电器中或单独电子控制模块中的高压达林顿双极晶体管,再到直...
在此应用中IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计,而如果使用了零电压开关(ZVS...
2013-12-18 标签:IGBT 2000 0
兼顾高耐压与低Vce(sat)性能的650V场截止沟槽式IGBT受热捧
绝缘闸双极电晶体(IGBT)是一种少数载子功率元件,拥有高输入阻抗和高双极电流功能,这些特性使其适用于多种电力电子产品,特别是马达驱动器、不断电系统(U...
2013-08-28 标签:IGBT 1809 0
为让电子产品设计人员在最短时间内,完成新一代绝缘闸双极电晶体(IGBT)元件特性评估作业,功率半导体业者研发出更精密的线上设计工具,不仅能提供温度和频...
2013-08-15 标签:IGBT 901 0
针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器
对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(《200 W),并...
经过了很长一段时间的发展,功率半导体在相关电源电路中的应用已经不可替代。尤其是在当前太阳能着力发展的时代,功率半导体更是大踏步向前,虽然目前有着氮化镓与...
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