今天碳化硅器件已经在多种应用中取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。
2025-08-29 14:38:01
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碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。
2024-04-01 11:23:344789 
近年来，基于宽禁带材料的器件技术的不断发展，碳化硅器件的实际工程应用，受到了越来越广泛的关注。相较传统的硅基器件，碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很快的开关速度，与硅IGBT相比，导通损耗
2025-11-05 08:22:008367 
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
92%的开关损耗，还能让设备的冷却机构进一步简化，设备体积小型化，大大减少散热用金属材料的消耗。半导体LED照明领域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的优势，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且，尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
2025-01-20 14:19:40
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
功率器件的开通速度。- 使用米勒钳位功能。03 IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。图片图片- 驱动芯片
2025-01-04 12:30:36
化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用，与纳微GaNFast高频优势组合，高频开关减小磁性元件体积，提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的优势，但代价是在某些方面参数碳化硅MOSFET性能比较差。这就要求设计人员需要花时间充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考虑如何向新拓扑架构过渡。有一点
2023-03-14 14:05:02
特点, 高压输入隔离DC/DC变换器的拓扑可以得到简化（从原来的三电平简化为传统全桥拓扑）。碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势:高阻断电压可以简化拓扑设计,电路从复杂三电平变为两电平全
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。 产品特点 沟槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
直流快充，三相交流输入需要经过三相PFC整流输出电压为800V，因此后级隔离采用如图6左所示复杂三电平硅方案，碳化硅MOSFET可以使电路从复杂三电平变为两电平全桥电路[2]，减小开关器件数量；(2
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
对于大功率应用，如电网转换、电动汽车或家用电器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有许多优点，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。
2017-11-01 11:47:51
42 很长的路要走。那为什么SiC器件这么受欢迎，但难以普及？本文简单概述一下碳化硅器件的特性优势与发展瓶颈！
2017-12-13 09:17:4423346 碳化硅器件与硅器件的对比，开关特性，导通特性对比。
2018-01-24 15:25:4224 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面
2019-12-09 13:58:0225337 
尺寸缩小的影响。MOSFET 和 IGBT 等硅功率开关设计用于处理 12V 至 +3.3kV 的电压和数百安培的电流。通过这些开关的功率很大！但它们的能力是有限的，这推动了碳化硅 (SiC) 等具有卓越性能的新材料的开发。 碳化硅是一种化合物半导体材料，它结合了硅和
2022-01-18 16:05:40516 在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161771 关于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此应用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系统成本更低，组件更少。
2022-08-09 10:06:001205 
SiC MOSFET 较 IGBT 可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1）碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。
2022-08-23 09:46:344678 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:413554 
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰**几个方面。
2023-02-03 14:54:472277 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。
2023-02-09 09:51:233437 
通常是可互换的，尽管MOSFET通常适用于较低的电压和功率，而IGBT则很好地适应更高的电压和功率。随着碳化硅的引入，MOSFET比以往任何时候都更有效，与传统硅元件相比具有独特的优势。
2023-02-12 10:32:351213 碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19:009857 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:113177 
通常是可互换的，尽管MOSFET通常适用于较低的电压和功率，而IGBT则很好地适应更高的电压和功率。随着碳化硅的引入，MOSFET比以往任何时候都更有效，与传统硅元件相比具有独特的优势。
2023-05-24 11:25:282494 MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 栅双极晶体管）和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料，具有一定的电性能和可靠性，但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好，具有更高的耐温性能，能够承受更高的工作温度和电压。
2023-08-25 14:50:0421116 汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、优势及应用等方面进行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件，它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同，
2023-09-05 09:04:423465 宽带隙半导体使许多以前使用硅（Si）无法实现的高功率应用成为可能，两种材料的特性说明了为什么碳化硅二极管（SiC）在多个指标上具有明显的优势。
2023-10-30 14:11:066257 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:262764 
碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造电动汽车（EV）、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。与IGBT和MOSFET等传统的硅基功率器件相比，SiC具有多项优势，这些器件凭借其成本效益和制造工艺的简单性而长期主导市场。
2023-12-05 09:39:091396 
和IGBT的区别。 1. 结构差异： 碳化硅是一种化合物半导体材料，由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性，使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂，由多个寄生二极管组成，因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:538728 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:332699 
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特性： 碳化硅MOSFET具有极低的本征载流子浓度
2023-12-21 10:51:031704 的优势高频率：碳化硅材料的电子迁移率比硅高，使得碳化硅功率器件能够承受更高的开关频率。这有助于减小无源元件的尺寸，提高系统的整体效率。低损耗：碳化硅的导通电阻比硅低，使得碳化硅功率器件在导通状态下的损耗远低于硅器件。这有助于减小系统的散热需求，提高设备的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:031442 耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:152726 
相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等领域。在桥式电路中，碳化硅MOSFET具有更快
2024-06-21 09:48:264964 
以下是关于碳化硅晶圆和硅晶圆的区别的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有比硅（Si）更高的热导率、电子迁移率和击穿电场。这使得碳化硅晶圆在高温、高压和高频应用中具有优势
2024-08-08 10:13:174710 碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的击穿电场、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速度以及更高的工作温度等优势，因此在高压、高频和高温等苛刻条件下表现优异。
2024-09-11 10:25:441708 
）的应用优势。 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功
2025-02-09 09:55:56854 
倾佳电子杨茜以50KW高频感应电源应用为例，分析BASiC基本股份国产SiC模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT
2025-02-10 09:41:151010 
倾佳电子杨茜以50KW高频电镀电源应用为例，分析BASiC基本股份国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比： 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT
2025-02-09 20:17:291127 
在桥式电路中，国产碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替换超结（SJ）MOSFET具有显著优势，但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和技术注意事项两方面进行深度分析： 倾佳电子
2025-02-11 22:27:58833 
变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！ 产品线与技术优势 B
2025-02-12 06:41:45949 
。碳化硅MOSFET不仅具有低导通电阻、高开关速度和高耐压等显著优势，还在高温和高频应用中展现出优越的稳定性。本文将详细探讨碳化硅MOSFET的基本特性、应用领域、市场前景及未来发展趋势。
2025-02-26 11:03:291400 碳化硅（SiC）MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件，在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势，随着国产碳化硅MOSFET技术、成本及供应链都日趋完善，国产SiC碳化硅在
2025-03-13 11:12:481582 
的两大主流产品，各自拥有独特的优势与应用场景。那么，碳化硅功率模块与硅基IGBT功率模块相比，究竟谁更胜一筹？碳化硅是否会取代硅基IGBT成为未来的主流？本文将从多
2025-04-02 10:59:415542 
碳化硅是第三代半导体典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势，在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定，哪怕是在超过300℃的高温环境下，打破了传统材料下器件的参数瓶颈，直接促进了新能源等产业的升级。
2025-08-27 16:17:431263 
！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！ 倾
2025-10-18 21:22:45403 
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