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意法半导体VIPerGaN系列高压GAN转换器简介

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压(9 V至2...

2023-06-21 标签：转换器 usb 意法半导体 1.1k 0

影响电源效率提升的主要损耗

效率一直以来都是电源领域的研究重点，尤其在一些小体积高功率密度的电源系统中尤为重要。比如，适配器电源、模块电源、服务器用电源等。近年来，第三代GaN半导...

2023-06-23 标签：MOSFET 服务器 GaN 2k 0

爱美雅科技引领快充市场：TP44100内置GaN MOS芯片的240W快充解决方案

在现代社会中，移动设备和电子产品已经成为人们生活中不可或缺的一部分。然而，随着电子产品的功能不断增加，用户对于快速充电的需求也越来越迫切。作为一家领先的...

2023-06-16 标签：芯片 MOS GaN 1.6k 0

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地...

2023-06-16 标签：半导体电源管理德州仪器 9.5k 0

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行？

近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。

2023-06-15 标签：功率器件 GaN 功率半导体 1.2k 0

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而...

2023-06-14 标签：晶体管 GaN HEMT 4k 0

基于NeRF的隐式GAN架构

3D对象的生成模型在VR和增强现实应用中越来越受欢迎。但使用标准的3D表示(如体素或点云)来训练这些模型是具有挑战性的，并且需要复杂的工具来进行适当...

2023-06-14 标签：3D GaN 模型 2k 0

一种基于全HVPE生长的垂直GaN肖特基势垒二极管

近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒...

2023-06-13 标签：二极管功率器件 GaN 2.8k 0

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）介绍

对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。

2023-06-12 标签：充电器 SiC 氮化镓 4.8k 0

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长...

2023-06-11 标签：GaN GaN晶体管 1.2k 0

GaN外延生长方法及生长模式

由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不...

2023-06-10 标签：薄膜晶体单晶 2.3k 0

SJ MOSFET的应用及与SiC和GaN的比较

超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）...

2023-06-08 标签：MOSFET 功率器件 SiC 5.5k 0

最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用

由于AlN和GaN之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，导致很难获得高质量的AlN/GaN布拉格反射镜（Distributed Bragg Reflect...

2023-06-07 标签：激光器数据库 GaN 1.2k 0

茂睿芯推出全新一代氮化镓技术LD-GaN

氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。

2023-06-02 标签：变压器氮化镓 GaN 869 0

GaN HEMT工艺全流程

GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，...

2023-05-25 标签：半导体晶体管 GaN 5k 0

GaN基耐辐射DC/DC变换器在卫星应用中提高效率

在过去几年中，航天市场通过采用以前在空间系统中看不到的新技术，朝着更高效的电源解决方案发展。空间硬件受到恶劣环境条件的影响，包括电离辐射，因此必须使用抗...

2023-05-25 标签：转换器变换器卫星 1.5k 0

GaN中 (C_N) 缺陷的非辐射俘获系数计算（上）

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟...

2023-05-25 标签：GaN DASP HSE 2.1k 1

什么是碳化硅半导体

硅（Si）是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓（GaAs）、氮化...

2023-05-24 标签：半导体晶体管 GaN 4.3k 0

氮化镓晶体管的优势

当今市场上有许多晶体管选择，它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此，缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中，GaN晶体管是，但...

2023-05-24 标签：晶体管氮化镓 GaN 1.7k 0

利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED

氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频...

2023-05-24 标签：功率放大器 RF GaN 2k 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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LoRa是一种线性调频扩频调制技术，它的全称为远距离无线电（Long Range Radio），因其传输距离远、低功耗、组网灵活等诸多优势特性都与物联网碎片化、低成本、大连接的需求不谋而合，故而被广泛应用于物联网各个垂直行业中。
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