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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了，EUV已经遇到了一些延迟，将技术从一个节点推向下一个阶段，本单元详细介绍了EUV光刻机，EUV光刻机技术的技术应用，EUV光刻机的技术、市场问题，国产euv光刻机发展等内容。

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euv技术

全面描述SADP / SAQP流程的工作方式

作者： JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士，DAVID ABERCROMBIE，REHAB KOTB ALI和MENTOR...

2021-04-11 标签：光刻技术 EUV 3.6万 0

浅谈英特尔的SuperFin

英特尔自己的工程师说，即使他们自己有时也很难记住哪个+变体具有特定的更新，或者哪个产品建立在哪个+节点上，这个消息也许能让你心情好上一些。

2020-09-02 标签：英特尔晶体管 EUV 4.9k 0

原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳...

2020-06-02 标签：制造工艺 EUV 3d nand 2.9k 0

浸没式光刻原理浅析

到2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠，而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。

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关于EUV光刻机的分析介绍

格芯首席技术官Gary Patton表示，如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机，那么光刻的步骤将会超过100步，这会让人疯狂。所以所EUV光刻机无疑是...

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助力高级光刻技术：存储和运输EUV掩模面临的挑战

随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外（EUV）光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻...

2019-07-03 标签：半导体光刻 EUV 2.6k 0

干货！光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

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2019-03-02 标签：光刻 EUV 1.3万 0

浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

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2019-02-25 标签：光刻 EUV 6.8k 0

光刻胶材料的制备和基本要素

光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括：半导体领域的集成电路和...

2019-02-11 标签：euv 光刻胶 2.7万 1

EUV曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野

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2019-01-17 标签：半导体 EUV ASML 5.8k 0

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2018-12-03 标签：芯片晶体管 EUV 5.5k 0

讲述EUV是什么？

为什么三星、台积电、英特尔，这三家直接竞争对手企业争相投资ASML？

2018-06-29 标签：半导体 euv 1.7万 0

极紫外光微影(EUV)技术据称将在5纳米(nm)节点时出现随机缺陷

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2018-04-11 标签：英特尔台积电 euv 1.2万 0

极紫外（EUV）光刻新挑战光刻胶只是其一

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2018-03-27 标签：euv 光刻胶 1.2万 0

面对EUV光刻技术，芯片制造商如何权衡复杂分类

除了阻抗，还有其他问题，即EUV光掩模基础设施。光掩模是给定IC设计的主模板。面膜开发之后，它被运到制造厂。将掩模放置在光刻工具中。该工具通过掩模投射光...

2017-09-29 标签：英特尔光刻技术 EUV 1.3万 0

光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应

对先进光刻掩膜光衍射的精密EMF模拟已成为预知光刻模拟的必做工作。

2012-05-04 标签：晶圆光刻 EUV 8.1k 0

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