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DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。

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DDR4简介

　　DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。

　　DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

DDR4百科

　　DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。

　　数据规格

　　DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40%。

　　根据此前的规划，DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

　　三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”（虚拟开漏极）技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

　　三星称，2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

　　DDR3和DDR4性能差距有多大

　　DDR3传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。

　　储存方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的标准电源供应是1.5V而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V。

　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps（256MB/s）的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

　　默认频率DDR4 2133 CL15

　　DDR4 2133频率下带宽测试：48.4GB/s

　　DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。

　　总结：

　　1：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3：DDR4内存容量提升明显，可达128GB4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低

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