栅极

栅极源极漏极怎么区分

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称...

2019-06-19 标签：场效应管电极栅极 8.3万 0

MOS管三个极的判定

1、三个极的判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认。 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。 D极(drain)—...

2023-11-26 标签：二极管MOS管电平 3.2万 1

既然MOSFET栅-源阻抗非常大，为什么设计驱动MOS电路的栅极电流还要大？1200字说清楚

三极管是流控型器件，通过电流控制三极管的工作区，而MOSFET与之相对是压控型器件，栅-源阻抗非常大，我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略，那...

2025-01-02 标签：三极管电流MOSFET 2.9万 0

一文详解寄生参数对栅极震荡的影响

在现代电子电路设计和应用中，寄生参数是指那些并非设计者最初所期望的，但在电路或元器件中由于物理结构、材料特性或布局布线等因素而自然产生的非预期电气参数。...

2025-03-14 标签：电阻电感栅极 2.3万 0

MOS管的栅极G、源极S、漏极D的判定方法

　　MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚的电平，我们可以直接控制这个MO...

2023-02-27 标签：驱动器MOS管栅极 1.7万 0

MOS管参数解读

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。

2023-09-24 标签：元器件MOS管栅极 1.5万 0

一文详解MOS电容器

MOSFET是工业上应用最成功的固态器件，是构成高集成度的基本单元，而MOS电容器是MOSFET的核心，理解该电容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 标签：电容器MOSFETMOS 1.4万 0

NMOS、PMOS、CMOS的结构介绍

咱们前几期讲的一直是NMOS，导电靠的是沟道中的自由电荷。而PMOS与NMOS结构上的不同点在于半导体基板的材料恰恰相反，是在N型掺杂基板的基础上加了两...

2023-02-16 标签：CMOS半导体NMOS 1.3万 0

晶闸管(可控硅)极性的判断方法

在讲晶闸管怎么测好坏之前，先给大家讲一下晶闸管（可控硅）极性的判断方法。

2023-07-11 标签：可控硅晶闸管极性 1.2万 0

7种MOS管栅极驱动电路

首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化...

2023-04-28 标签：MOSFETMOS管栅极 1.2万 0

MOSFET米勒效应详解

米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大...

2023-05-15 标签：放大器开关电路MOSFET 1.1万 0

通过单片GaN集成提高性能，同时减小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范围内的氮化镓 （GaN） 异质结场效应功率晶体管已被证明在功率转换、电机驱动和激光雷达脉冲光等应用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 标签：emi雷达栅极 1.0万 0

PMOS管和NMOS管的区别

　　MOS管的管脚：源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain)。

2023-02-16 标签：MOS管MOS栅极 8.4k 0

高介电常数栅电介质/金属栅极的FA CMP技术

高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。...

2012-05-04 标签：栅极介电常数 8k 0

MOSFET栅极驱动电路的振荡问题解析

上一篇文章我们介绍过，为了使MOS管完全导通，需要尽量提高栅极的驱动电流。那是不是栅极驱动电流越大越好呢，即驱动电路的内阻越小越好？

2023-08-14 标签：pcbMOSFETMOS管 7.7k 0