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标签 > 栅极
栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
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采用4引脚封装的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFE...
SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-正电压浪涌对策
本文的关键要点:通过采取措施防止栅极-源极间电压的正电压浪涌,来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能,则...
SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关关断时的栅极-源极间电压的动作
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作:下面是表示L...
SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作
上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOS...
SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
SiC MOSFET:桥式结构中栅极源极间电压的动作-SiC MOSFET的桥式结构
在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。
在做信号控制以及驱动时,为了加快控制速度,经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成:分别是上P下N,以及上N下P。其原理图如下所示,
迄今为止,Nanodcal 已成功应用于1维、2维、3维材料物性、分子电子器件、自旋电子器件、光电流器件、半导体电子器件设计等重要研究课题中,并将逐步推...
SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”(点击加黑文字可以跳转到该推文),对...
四极管种类很多,常见的有:束射四极管,直热四极管和多子四极管等。四极管,有音色浑厚,具有速度感等特点,实际上纯粹意义的四极管只是在电子管的发展史上作为验...
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。
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