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标签 > 场效应晶体管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
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随着传统平面晶体管的尺寸缩小,器件物理学家称为短沟道效应的器件占据了中心位置。总的来说,由于源极和漏极之间的距离变得非常小,电流会在不应该泄漏的时候漏过...
基于他对理解半导体物理学的理论贡献和他发明的结型晶体管,肖克利与巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年诺贝尔物理学奖,以表彰“半...
集成电路密度的提升是一个业界持续追求的方向,也是“集成”的含义所在。提升集成电路器件密度有多种方式,其中降低器件的单位面积是最根本也是最有效的途径。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
曹原导师最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中实现开关超导性
低温传输测量证明了高质量扭曲的双层石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°时的预期特征。在图1b中,四探针纵向电阻Rxx被绘制成在基础混合室温度为40 mK时使...
集成驱动器可减小解决方案尺寸,实现功率密集型系统。同时,集成降压/升压转换器意味着 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非稳压电源下...
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