资料介绍
1.1 Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PHKD13N03LT in SOT96-1 (SO8)。 1.2 Features 1.3 Applications 1.4 Quick reference data 2. Pinning information ■ Low gate charge ■ Surface mount package ■ Low on-state resistance ■ Fast switching. ■ Portable appliances ■ Notebook computers ■ Lithium-ion battery chargers ■ DC-to-DC converters. ■ VDS ≤ 30 V ■ ID ≤ 10.4 A ■ Ptot ≤ 3.57 W ■ RDSon ≤ 20 mΩ

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