AFBR-S4N66C013 NUV-HD单硅光电倍增器
数据：
AFBR-S4N66C013：NUV-HD单硅光电倍增器
描述
Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款单硅光电倍增管（SiPM），用于单光子的超灵敏精密测量。
有效面积为6.14倍; 6.14 mm 2 。使用穿硅通孔（TSV）技术实现单个芯片的高封装密度。通过将多个AFBR-S4N66C013芯片平铺到阵列中可以覆盖更大的区域，几乎没有任何边缘损耗。保护层由高度透明的玻璃制成，直至紫外波长，在可见光谱中产生广泛响应，对光谱的蓝光和近紫外区域具有高灵敏度。
特征
- 420 nm时的高PDE超过55％
- 高填充因子
- 优异的SPTR和CRT
- 优异的均匀性击穿电压
- 增益均匀性
- 采用TSV技术（4面可用）
- 尺寸6.14 × 6.14 mm 2 n细胞间距30次; 30微米 2
- 高度透明的玻璃保护层
- 工作温度范围从– 40°C到+ 85°C
- 符合RoHS和REACH
应用
- X射线和伽马射线检测
- 伽玛射线光谱
- 安全性
- 核医学
- 正电子发射断层扫描
- 生命科学n流式细胞术
- 荧光–发光测量
- 时间相关单光子计数
- 高能物理学
- 天体物理学
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