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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

2N7002DW N沟道增强模型场效应晶体管

数据： Datasheet：N沟道增强模式场效应晶体管

2N7002DW是一款双N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。它结合了快速开关速度和超小型表面贴装封装，适用于许多不同的应用。

特性
双N沟道数字MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装

应用
此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（18）

Datasheet：N沟道增强模式场效应晶体管

元器件购买 2N7002DW 相关库存

MOSFETs

型号：2N7002DW 封装：SOT-363

品牌：YANGJIE 描述：类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW

金额：￥0.11362
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MOSFETs

型号：2N7002DW 封装：SOT-363

品牌：ON 描述：2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。

金额：￥
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MOSFETs

型号：2N7002DW 封装：SOT-363

品牌：JSCJ 描述：MOSFETs 2个N-沟道 60V 115mA SOT-363

金额：￥0.14019
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MOSFETs

型号：2N7002DW-7-F 封装：SOT-363

品牌：DIODES 描述：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT363-6

金额：￥0.20817
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