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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

2N7002DW N沟道增强模型场效应晶体管

数据： Datasheet：N沟道增强模式场效应晶体管

2N7002DW是一款双N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。它结合了快速开关速度和超小型表面贴装封装，适用于许多不同的应用。

特性
双N沟道数字MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装

应用
此产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（18）

Datasheet：N沟道增强模式场效应晶体管

元器件购买 2N7002DW 相关库存

MOSFETs

型号：2N7002DW 封装：SOT363

品牌：YANGJIE 描述：类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW

金额：￥0.13013
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MOSFETs

型号：2N7002DW 封装：SOT363

品牌：JCET 描述：MOSFETs 2 N-Channel Vdss：60V Id：115mA Pd：150mW SOT363-6

金额：￥0.19712
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MOSFETs

型号：2N7002DW-7-F 封装：SOT363

品牌：DIODES 描述：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT363-6

金额：￥0.21021
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MOSFETs

型号：2N7002DW-TP 封装：SOT363

品牌：MCC 描述：VDS=60V ID=115mA PD=150mW 2 N-Channel SOT363 MOSFETs

金额：￥0.17431
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