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TPS5130由三个独立的同步降压稳压控制器(SBRC)和一个低压差(LDO)稳压控制器组成。片上高侧和低侧同步整流器驱动器集成在一起,可驱动较便宜的N沟道MOSFET。 LDO控制器还可以驱动外部N沟道MOSFET。由于输入电流纹波通过180度异相操作而最小化,因此它允许较小的输入电容,从而降低了电源成本。 TPS5130的SBRC自动从PWM模式调整到SKIP模式,以在轻负载条件下保持高效率。同步降压控制器的电阻器电流保护和固定的高侧驱动器电压简化了系统设计并减少了外部元件数量。 LDO控制器具有限流保护和过冲保护功能,可抑制负载瞬态时的输出电压驼峰。为了进一步延长电池寿命,TPS5130具有死区时间控制和极低的静态电流。
| Vin (Min) (V) |
| Vin (Max) (V) |
| Vout (Min) (V) |
| Vout (Max) (V) |
| Iout (Max) (A) |
| Regulated Outputs (#) |
| Number of Phases |
| Switching Frequency (Min) (kHz) |
| Switching Frequency (Max) (kHz) |
| Iq (Typ) (mA) |
| Features |
| Duty Cycle (Max) (%) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Rating |
| Package Group |
| Control Mode |
| TPS5130 |
|---|
| 4.5 |
| 28 |
| 0.9 |
| 5.5 |
| 15 |
| 4 |
| 1 |
| 50 |
| 500 |
| 2 |
| Enable Light Load Efficiency Power Good Synchronous Rectification |
| 82 |
| -40 to 85 |
| Catalog |
| LQFP |
| Voltage Mode |