LMG1210 LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器

LMG1210是一款200V半桥高性能氮化镓场效应晶体管（GaN FET）驱动器，专为要求高开关速度，最短死区时间LDA精确控制至5V。

LMG1210 GaN驱动器经精心设计，应用中，并具有可提供超高频可调节死区时间功能，极短的传播延迟以及1.5ns高侧/低侧匹配，以优化系统效率。

GaN FET上额外的寄生电容被最小化至小于1pF，以减少额外的开关损耗。外部自举二极管用于对高侧自举电容器充电，以便提供适用于电路工作条件的最佳选择。

当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并在将硅二极管用作自举二极管时将反向恢复电荷降至最低。

GaN驱动器可在两种不同的模式下工作：独立输入模式（IIM）和PWM模式。在IIM中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从0ns调节为20ns.LMG1210可在-40 °C至125°C的宽温度范围内运行，并采用低电感WQFN封装。