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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD22205L -8V P 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD22205L –8V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

该-8V，8.2mΩ，1.2mm×1.2mm基板栅格阵列（LGA）NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列（LGA）封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。

特性

低电阻
1.2mm×1.2mm小尺寸封装
扁平设计，高度为0.35mm
无铅
栅源电压钳位
栅极ESD保护
符合RoHS标准
无卤素

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)

CSD22205L	CSD22202W15	CSD22204W	CSD22206W
-8	-8	-8	-8
-6	-6	-6	-6
Single	Single	Single	Single
9.9	12.2	9.9	5.7
15	17.4	14	9.1
40
-71	-48	-80	-108
-7.4	-5	-5	-5
6.5	6.5	18.9	11.2
1	1	4.2	1.8
1.2	1.6	3.2	2.1
-0.7	-0.8	-0.7	-0.7
LGA 1.2x1.2	WLP 1.5x1.5	WLP 1.5x1.5	WLP 1.5x1.5

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD22205L –8V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD22205L 相关库存

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