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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET MOSFET

数据： CSD23280F3 –12V P 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这款-12V，97mΩ，P沟道FemtoFET™MOSFET的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。

特性

低导通电阻
超低Q _g和Q _{gd < /sub>}
高工作漏极电流
超小尺寸
- 0.73mm×0.64mm
超薄
- 最大高度为0.35mm
集成ESD保护二极管
- 额定值＆gt; 4kV HBM
- 额定值＆gt; 2kV CDM
无先且无卤素
符合RoHS标准

所有商标均为各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)

CSD23280F3	CSD23382F4	CSD25480F3	CSD25501F3
-12	-12	-20	-20
-6	-8	-12	-20
Single	Single	Single	Single
116	76	159	76
165	105	260	125
250	199	840	260
-11.4	-22	-10.4	-13.6
-1.8	-3.5	-1.7	-3.6
0.95	1.04	0.7	1.02
0.068	0.15	0.1	0.09
0.3	0.5	0.26	0.45
-0.65	-0.8	-0.95	-0.75
LGA 0.6x0.7	LGA 0.6x1.0	LGA 0.6x0.7	LGA 0.6x0.7

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD23280F3 –12V P 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD23280F3 相关库存

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