完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
这款-20V，64mΩ，P沟道FemtoFET™MOSFET的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。集成的10kΩ钳位电阻器（R C ）可根据占空比让栅极电压（V GS ）高于最大内部栅极氧化值-6V。通过二极管的栅极泄漏（I GSS ）随着V GS 增加到高于-6V而增加。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25501F3 | CSD23280F3 | CSD23382F4 | CSD25213W10 | CSD25480F3 |
|---|---|---|---|---|
| -20 | -12 | -12 | -20 | -20 |
| -20 | -6 | -8 | -6 | -12 |
| Single | Single | Single | Single | Single |
| 76 | 116 | 76 | 47 | 159 |
| 125 | 165 | 105 | 67 | 260 |
| 260 | 250 | 199 | 840 | |
| -13.6 | -11.4 | -22 | -16 | -10.4 |
| -3.6 | -1.8 | -3.5 | -1.6 | -1.7 |
| 1.02 | 0.95 | 1.04 | 2.2 | 0.7 |
| 0.09 | 0.068 | 0.15 | 0.14 | 0.1 |
| 0.45 | 0.3 | 0.5 | 0.74 | 0.26 |
| -0.75 | -0.65 | -0.8 | -0.85 | -0.95 |
| LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x1.0 | WLP 1.0x1.0 | LGA 0.6x0.7 |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
