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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD18511KTT 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD18511KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表

描述

这款40V，2.1mΩ，D ² PAK（TO-263）NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地减少功率转换应用中的损失。

特性

低Q _g和Q _gd
低R _DS（ON）
低热阻
雪崩评级
无铅端子电镀
符合RoHS标准
无卤素
D ² PAK塑料包装

所有商标均为他们各自的主人。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18511KTT	CSD18510KTT
40	40
Single	Single
4.2	2.6
2.6	1.7
400	400
64	119
9.7	21
D2PAK	D2PAK
20	20
1.8	1.7
194	274
110	200
Yes	Yes

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD18511KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET 数据表

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