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这款-20V，7.7mΩNexFET功率MOSFET被设计成最大限度地减少SON 3×3封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
顶视图R θJA = 55°C /W，这是在厚度为0.060“的环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 铜过渡垫片（2盎司）上测得的典型值。脉宽≤300μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25402Q3A | CSD25310Q2 | CSD25404Q3 |
|---|---|---|
| -20 | -20 | -20 |
| -12 | -8 | -12 |
| Single | Single | Single |
| 8.9 | 23.9 | 6.5 |
| 15.9 | 32.5 | 12.1 |
| 300 | 89 | 150 |
| -82 | -48 | -240 |
| -15 | -9.6 | -18 |
| 7.5 | 3.6 | 10.8 |
| 1.1 | 0.5 | 2.2 |
| 2.4 | 1.1 | 2.8 |
| -0.9 | -0.85 | -0.9 |
| SON 3x3 | SON 2x2 | SON 3x3 |
型号：CSD25402Q3A 封装：VSONP8
品牌：TI 描述：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=76A RDS(ON)=8.9mΩ@4.5V VSONP8
金额：￥1.65620
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