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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD19538Q3A CSD19538Q3A

数据： CSD19538Q3A 100V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这款100V，49mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电（PoE）应用中的电路板尺寸。

特性

超低Q _g和Q _gd
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）3.3mm×3.3mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD19538Q3A	CSD19537Q3	CSD19538Q2
100	100	100
Single		Single
61	14.5	59
36	219	34.4
4.3	16	4.3
0.8	2.9	0.8
SON3x3	SON3x3	SON2x2
20	20	20
3.2	3	3.2
13.7	53	13.1
15	50	14.4
No	No	No

技术文档

数据手册（1）

CSD19538Q3A 100V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD19538Q3A 相关库存

MOSFETs

型号：CSD19538Q3A 封装：VSONP8_3.25X3.1MM

品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A P=53W VSONP8_3.25X3.1MM

金额：￥1.29800
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